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公开(公告)号：CN104312580B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410462080.2
申请日：2014-09-11
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸掺杂核壳结构半导体纳米晶体的快速制备方法，所述纳米晶体先制备核CdS:Mn和ZnS薄壳层，经过提纯后，再快速包覆ZnS厚壳层。本发明的大尺寸掺杂核壳结构纳米晶体的制备方法，可以迅速提高环保材料ZnS壳层的厚度而制备出大尺寸纳米晶体，大大增强纳米晶体的稳定性，延长了纳米晶体光电器件的寿命，而且无重金属，环保安全；本发明的制作工艺简单、效率高、成本低；使得纳米晶体技术向工业化生产迈出了坚实的一步。
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公开(公告)号：CN106701083A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611183005.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02E10/50 , C09K11/883 , C09K11/025 , G01N21/6486 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种锰离子掺杂Ⅱ型量子点荧光材料及其制备方法和应用，所述荧光材料为在Ⅱ型量子点A/B的内核A中掺杂入Mn2+形成锰离子掺杂Ⅱ型量子点A:Mn/B，再包覆高质量的宽禁带ZnS壳层，即得所述锰离子掺杂Ⅱ型量子点(A:Mn/B/ZnS)荧光材料。相对于现有技术，本发明通过在Ⅱ型量子点中引入掺杂的二价锰离子Mn2+作为能量中转站和激子耦合器，克服Ⅱ型激子(振子强度低)易被缺陷捕获的弱点，从而提高了Ⅱ型激子的发光效率。
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公开(公告)号：CN104312580A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410462080.2
申请日：2014-09-11
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸掺杂核壳结构半导体纳米晶体的快速制备方法，所述纳米晶体先制备核CdS:Mn和ZnS薄壳层，经过提纯后，再快速包覆ZnS厚壳层。本发明的大尺寸掺杂核壳结构纳米晶体的制备方法，可以迅速提高环保材料ZnS壳层的厚度而制备出大尺寸纳米晶体，大大增强纳米晶体的稳定性，延长了纳米晶体光电器件的寿命，而且无重金属，环保安全；本发明的制作工艺简单、效率高、成本低；使得纳米晶体技术向工业化生产迈出了坚实的一步。
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公开(公告)号：CN106701083B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201611183005.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种锰离子掺杂Ⅱ型量子点荧光材料及其制备方法和应用，所述荧光材料为在Ⅱ型量子点A/B的内核A中掺杂入Mn2+形成锰离子掺杂Ⅱ型量子点A:Mn/B，再包覆高质量的宽禁带ZnS壳层，即得所述锰离子掺杂Ⅱ型量子点(A:Mn/B/ZnS)荧光材料。相对于现有技术，本发明通过在Ⅱ型量子点中引入掺杂的二价锰离子Mn2+作为能量中转站和激子耦合器，克服Ⅱ型激子(振子强度低)易被缺陷捕获的弱点，从而提高了Ⅱ型激子的发光效率。
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