公开(公告)号：CN106840451A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710037514.8

申请日：2017-01-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙小菡 ,  张劲 ,  袁慧宇 ,  赵兴群

IPC: G01K11/32

CPC classification number: G01K11/3206

Abstract: 本发明提供一种螺旋线行波管慢波结构工作温度测量方法以及对应的工作温度测量装置。该装置包括行波管、光纤、解调仪以及数据处理装置。其中，光纤上刻写有至少一处FBG光栅，光纤通过所述解调仪连接所述数据处理装置。本发明创新之处在于，本发明中光纤伸入行波管的管壳内，固定于管壳内的夹持杆的侧面台阶之上。光纤的引出部位镀有金属涂覆层，保证光纤的机械强度，并保证行波管密闭性。本发明所提供的测量装置能够在行波管工作状态下，测量行波管内部若干点的工作温度。且本发明所提供的测量装置对行波管内电磁场分布影响小，对行波管工作性能影响小。

公开(公告)号：CN104991150A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510494459.6

申请日：2015-08-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙小菡 ,  袁慧宇

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种存储态真空电子器件剩余寿命的检测方法，包括步骤10)收集同类器件历史信息；步骤20)采集待测电子真空器件状态信息；步骤30)获取待测电子真空器件性能数据集合；步骤40)获得欧几里得距离；步骤50)测算出待测电子真空器件的剩余寿命。该检测方法可以检测出存储态真空电子器件的剩余寿命。

公开(公告)号：CN103063579A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210574366.0

申请日：2012-12-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙小菡 ,  袁慧宇 ,  吴晨

IPC: G01N21/25

Abstract: 本发明公开了一种存储态真空电子器件残余气体的光谱检测装置，包括单光子计数器、光源、第一旋转平台、第二旋转平台、检测器、支架和计算机，支架位于第一旋转平台外侧，单光子计数器固定连接在支架上，单光子计数器的信号输出端与计算机的信号输入端连接；检测器通过支座固定连接在第一旋转平台上，检测器与真空电子器件阴极附近的漂移管相连通；光源固定连接在第二旋转平台上；第二旋转平台连接在第一旋转平台上，单光子计数器、光源和检测器到第一旋转平台的距离均相等。该光谱检测装置对存储态真空电子器件残余气体检测时，不会破坏真空电子器件。本发明还公开了该光谱检测装置的检测方法。该方法采用简单易行，检测结果准确度高。

公开(公告)号：CN106840451B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201710037514.8

申请日：2017-01-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙小菡 ,  张劲 ,  袁慧宇 ,  赵兴群

IPC: G01K11/32

Abstract: 本发明提供一种螺旋线行波管慢波结构工作温度测量方法以及对应的工作温度测量装置。该装置包括行波管、光纤、解调仪以及数据处理装置。其中，光纤上刻写有至少一处FBG光栅，光纤通过所述解调仪连接所述数据处理装置。本发明创新之处在于，本发明中光纤伸入行波管的管壳内，固定于管壳内的夹持杆的侧面台阶之上。光纤的引出部位镀有金属涂覆层，保证光纤的机械强度，并保证行波管密闭性。本发明所提供的测量装置能够在行波管工作状态下，测量行波管内部若干点的工作温度。且本发明所提供的测量装置对行波管内电磁场分布影响小，对行波管工作性能影响小。

公开(公告)号：CN103063579B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201210574366.0

申请日：2012-12-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙小菡 ,  袁慧宇 ,  吴晨

IPC: G01N21/25

Abstract: 本发明公开了一种存储态真空电子器件残余气体的光谱检测装置，包括单光子计数器、光源、第一旋转平台、第二旋转平台、检测器、支架和计算机，支架位于第一旋转平台外侧，单光子计数器固定连接在支架上，单光子计数器的信号输出端与计算机的信号输入端连接；检测器通过支座固定连接在第一旋转平台上，检测器与真空电子器件阴极附近的漂移管相连通；光源固定连接在第二旋转平台上；第二旋转平台连接在第一旋转平台上，单光子计数器、光源和检测器到第一旋转平台的距离均相等。该光谱检测装置对存储态真空电子器件残余气体检测时，不会破坏真空电子器件。本发明还公开了该光谱检测装置的检测方法。该方法采用简单易行，检测结果准确度高。

公开(公告)号：CN104991150B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201510494459.6

申请日：2015-08-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙小菡 ,  袁慧宇

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种存储态真空电子器件剩余寿命的检测方法，包括步骤10)收集同类器件历史信息；步骤20)采集待测电子真空器件状态信息；步骤30)获取待测电子真空器件性能数据集合；步骤40)获得欧几里得距离；步骤50)测算出待测电子真空器件的剩余寿命。该检测方法可以检测出存储态真空电子器件的剩余寿命。

公开(公告)号：CN103035460A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210592593.6

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 柏宁丰 ,  谷磊磊 ,  孙小菡 ,  袁慧宇

IPC: H01J23/24

Abstract: 本发明公开了一种共面电磁带隙曲折线微波慢波结构，包括：介质基板，在介质基板上设有电磁带隙结构，所述电磁带隙结构是由呈周期排列的金属贴片构成的两维电磁带隙结构，通过平面曲折线结构连接金属贴片，且连接两金属贴片之间的平面曲折线应具有对称性。该结构利用电磁带隙在导带内导波，在禁带内禁波的特性，降低了基模的传输损耗，提高了慢波结构的耦合阻抗；可有效抑制返波振荡，提高了基模的耦合效率。同时，该结构可采用现有的微电路刻蚀技术直接在基板材料上制作相应结构，工艺简单。由于采用该结构，可有效抑制返波振荡，因此避免了采用集中衰减器带来的工艺复杂、降低基模耦合效率的缺点。