公开(公告)号：CN103936972A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410149467.2

申请日：2014-04-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雪勤 ,  潘琴 ,  林保平 ,  张旭 ,  章曙

IPC: C08G61/12

Abstract: 本发明公开了一种全共轭嵌段共聚物及其制备方法。本发明的全共轭嵌段共聚物的结构式为：。其中，R1，R2分别为烷基、烷氧基、醚氧基中的任一种；m和n为聚合物主链结构的重复单元数，m、n均为大于零的正整数。合成步骤为：将3-取代噻吩单体和2,5-二取代对苯单体分别进行格氏置换反应形成准活性单体；然后与催化剂配位化合物分别形成配合物；最后通过一定的加料顺序经还原消除反应形成全共轭嵌段聚合物。本发明所得到的聚合物具有较宽的紫外吸收光谱范围，荧光发射强，在氯仿、二氯甲烷、邻二氯苯和甲苯中溶解性好。

公开(公告)号：CN104804176A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510234237.0

申请日：2015-05-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雪勤 ,  熊丽娜 ,  林保平 ,  章曙

IPC: C08G61/12

Abstract: 本发明公开了全共轭嵌段聚电解质，属于高分子聚合物领域，其具有如下通式表示的结构：其中，A、B分别为共轭单元；m和n为聚合物主链结构的重复单元数，m、n均为大于零的正整数。本发明还公开了该电解质的制备方法。具有传统共轭聚合物的优良的光电性能，较宽的吸收光谱范围，可以实现光电性能的有效调节；增大了聚合物在溶液中的溶解性及导电性；聚合物有利于大面积的旋涂成膜，提高了溶液加工性；同时，该聚合物有利于器件性能的提高；本发明的制备该全共轭嵌段聚电解质的方法，步骤简单，合成的全共轭嵌段聚电解质性能优越。