一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105719843A

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201610042189.X

    申请日:2016-01-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 田芳

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/50 H01G11/06 H01G11/24 H01G11/86

    Abstract: 本发明公开了一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用,所述材料包括氮化钼纳米膜、氮化钛纳米管阵列和氮化钛纳米膜;所述氮化钼纳米膜作为表面层,氮化钛纳米管阵列作为中间层,氮化钛纳米膜作为基底层,氮化钼纳米膜完全覆盖在氮化钛纳米管阵列的表面,氮化钛纳米管阵列垂直生长在氮化钛纳米膜的表面,形成一体化结构的氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料;所述氮化钼纳米膜具有微孔膜结构,氮化钛纳米管阵列具有管壁相连的长纳米管或者管壁独立的短纳米管结构,氮化钛纳米膜具有凹坑膜结构。相对于现有技术,本发明所述材料导电性强,同时,所得材料具有较高的能量密度和功率密度,且充放电循环稳定性好。

    一种氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105655139B

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201610041627.0

    申请日:2016-01-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 田芳

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明公开了一种氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用,所述材料包括氧化钼纳米膜和碳包覆氮化钛纳米管阵列膜;所述氧化钼纳米膜作为储电活性层,碳包覆氮化钛纳米管阵列膜导电基底层,氧化钼纳米膜完全覆盖在碳包覆氮化钛纳米管阵列膜的表面,形成一体化结构的氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料;所述氧化钼纳米膜具有纳米颗粒组装而成的微孔膜结构,碳包覆氮化钛纳米管阵列具有管壁相连、有序紧密排列的纳米管阵列结构。相对于现有技术,本发明所述材料具有更好导电性和电化学耐腐蚀性,同时,所得材料具有较高的能量密度和功率密度,且充放电循环稳定性好。

    一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105719843B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610042189.X

    申请日:2016-01-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 田芳

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明公开了一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用,所述材料包括氮化钼纳米膜、氮化钛纳米管阵列和氮化钛纳米膜;所述氮化钼纳米膜作为表面层,氮化钛纳米管阵列作为中间层,氮化钛纳米膜作为基底层,氮化钼纳米膜完全覆盖在氮化钛纳米管阵列的表面,氮化钛纳米管阵列垂直生长在氮化钛纳米膜的表面,形成一体化结构的氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料;所述氮化钼纳米膜具有微孔膜结构,氮化钛纳米管阵列具有管壁相连的长纳米管或者管壁独立的短纳米管结构,氮化钛纳米膜具有凹坑膜结构。相对于现有技术,本发明所述材料导电性强,同时,所得材料具有较高的能量密度和功率密度,且充放电循环稳定性好。

    一种氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105655139A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201610041627.0

    申请日:2016-01-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 谢一兵 田芳

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/24 H01G11/06 H01G11/50 H01G11/86

    Abstract: 本发明公开了一种氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用,所述材料包括氧化钼纳米膜和碳包覆氮化钛纳米管阵列膜;所述氧化钼纳米膜作为储电活性层,碳包覆氮化钛纳米管阵列膜导电基底层,氧化钼纳米膜完全覆盖在碳包覆氮化钛纳米管阵列膜的表面,形成一体化结构的氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料;所述氧化钼纳米膜具有纳米颗粒组装而成的微孔膜结构,碳包覆氮化钛纳米管阵列具有管壁相连、有序紧密排列的纳米管阵列结构。相对于现有技术,本发明所述材料具有更好导电性和电化学耐腐蚀性,同时,所得材料具有较高的能量密度和功率密度,且充放电循环稳定性好。

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