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发明公开
一种基于硅/PLZT混合波导的马赫曾德尔电光调制器无效

公开(公告)号：CN110308573A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910641184.2

申请日：2019-07-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡国华 , 田东晓 , 恽斌峰 , 张若虎 , 崔一平

IPC: G02F1/035 , G02F1/21

Abstract: 本发明公开了一种基于加载条形结构的硅/PLZT混合波导的马赫曾德尔电光调制器，包括硅芯层和铁电薄膜下包层，二氧化硅上包层结构的波导；以及基于MMI的马赫曾德尔干涉仪结构；为实现高速电光调制而设计的共面波导电极结构。本调制器从上至下依此为共面波导电极，二氧化硅上包层，硅波导层，PLZT下包层，NST基底。其中共面电极可以加载射频信号，将射频信号加载到光波中，实现电光调制。本发明可以实现高调制深度、低传输损耗、高调制带宽，可以应用在集成高速微波光网络中。

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