公开(公告)号：CN116505230A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310598422.2

申请日：2023-05-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 朱晓维 ,  李昌锟 ,  邱源 ,  李子健 ,  宋文亮

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/48 ,  H01Q13/10 ,  H01Q1/50 ,  H01Q25/04 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/24

Abstract: 本发明专利公开了一种多合体功率放大器芯片集成宽带缝隙天线，包括金属地板，介质基板，辐射缝隙、功分结构微带馈线，氧化钼铜结构件和开槽的芯片外围电路PCB板。所述介质基板厚度为0.127mm，使用极薄基板以减小金线键合长度，以实现降低整体电路损耗的降低。所述微带馈线在辐射缝隙处采用功分结构，以激发额外的谐振模式并对其进行合理排布叠加，以实现过薄基板带来的天线阻抗带宽过窄的问题的解决。所述天线与芯片外围电路设计在同一块PCB板上。所述外围电路PCB板通过矩形开槽承托多合体功率放大器芯片,利用金丝将芯片与天线、射频信号线和偏置直流馈电线键合，以实现天线与多合体功率放大器一体化。