一种半导体湿度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109613065A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201811372138.9

    申请日:2018-11-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种半导体湿度传感器,所述半导体湿度传感器包括:第一衬底,设置在所述第一衬底上的源极和漏极;设置在所述第一衬底上方并覆盖所述源极和所述漏极的半导体层;设置在所述半导体层上的栅氧化层;设置在所述栅氧化层上的栅极结构,所述栅极结构为压电层;设置在所述栅极结构上的绝缘层;设置在所述绝缘层上的吸湿层。另外,本发明还提供了一种制备半导体湿度传感器的方法,通过上述方法制备的半导体湿度传感器具有功耗低、可靠性高、灵敏度高等优点。

    一种压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109282924B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201811366144.3

    申请日:2018-11-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器,半导体压力传感器呈顶栅型场效应晶体管结构,半导体压力传感器包括设置在第二衬底上表面的顶栅型场效应晶体管,顶栅型场效应晶体管包括设置在第二衬底上表面的源极/漏极、覆盖源极/漏极的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝缘层,形成在栅极绝缘层上的栅极,栅极为压电层;正对顶栅型场效应晶体管设置在所述第二衬底下表面的凹槽,源极/漏极对称设置在所述凹槽的两侧,栅极的外侧端部边缘覆盖源极/漏极的内侧的端部边缘或者与源极/漏极的内侧的端部边缘相对齐。本发明的半导体压力传感器通过压电效应产生的压电电荷为晶体管的栅极提供偏置,无需外加栅压就能工作,具有低功耗、高灵敏度的优点。

    一种半导体湿度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109613065B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201811372138.9

    申请日:2018-11-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种半导体湿度传感器,所述半导体湿度传感器包括:第一衬底,设置在所述第一衬底上的源极和漏极;设置在所述第一衬底上方并覆盖所述源极和所述漏极的半导体层;设置在所述半导体层上的栅氧化层;设置在所述栅氧化层上的栅极结构,所述栅极结构为压电层;设置在所述栅极结构上的绝缘层;设置在所述绝缘层上的吸湿层。另外,本发明还提供了一种制备半导体湿度传感器的方法,通过上述方法制备的半导体湿度传感器具有功耗低、可靠性高、灵敏度高等优点。

    一种压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109282924A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811366144.3

    申请日:2018-11-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器,半导体压力传感器呈顶栅型场效应晶体管结构,半导体压力传感器包括设置在第二衬底上表面的顶栅型场效应晶体管,顶栅型场效应晶体管包括设置在第二衬底上表面的源极/漏极、覆盖源极/漏极的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝缘层,形成在栅极绝缘层上的栅极,栅极为压电层;正对顶栅型场效应晶体管设置在所述第二衬底下表面的凹槽,源极/漏极对称设置在所述凹槽的两侧,栅极的外侧端部边缘覆盖源极/漏极的内侧的端部边缘或者与源极/漏极的内侧的端部边缘相对齐。本发明的半导体压力传感器通过压电效应产生的压电电荷为晶体管的栅极提供偏置,无需外加栅压就能工作,具有低功耗、高灵敏度的优点。

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