公开(公告)号：CN118292040A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410407529.9

申请日：2024-04-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 林惠文 ,  高文雅 ,  陶立 ,  吴国栋 ,  夏瑶 ,  施颖

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/052 ,  C25B11/02 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明公开了一种硅光电阳极及其制备方法和应用，本发明通过液相化学自沉积将非晶WSx(a‑WSx)薄膜可控生长到硅光电阳极，继而通过循环线性扫描电沉积在非晶WSx薄膜上生长FeNi催化剂层，成功制备具有卓越光电催化水分解性能的FeNi/WSx/Si光电阳极。所得WSx层隔开硅阳极与电解质，提高了硅阳极稳定性；促进光生电子和空穴分离，提高了光生电流密度；提供丰富的FeNi层沉积形核位点，提高了助催化剂层的沉积均匀性。所得FeNi层与WSx层协同降低了光生电子和空穴复合率，消除了硅阳极的光腐蚀效应，从而提高了硅阳极在强碱环境中的催化氧化性和服役稳定性。