公开(公告)号：CN114325936A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210155485.6

申请日：2022-02-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 肖金标 ,  方镇

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/126

Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉原理同时实现偏振分束和功率分配的片上集成光子器件。本发明的特点是真正实现一种器件完成两种功能，在实现偏振分束的同时，两种偏振态还能各自完成功率的平分，功能新颖独特，非常具有创新性，并且器件参数消光比与功分比极佳，器件尺寸非常小。器件由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、光功能部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，光功能部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖。

公开(公告)号：CN114325936B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202210155485.6

申请日：2022-02-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 肖金标 ,  方镇

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/126

Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉原理同时实现偏振分束和功率分配的片上集成光子器件。本发明的特点是真正实现一种器件完成两种功能，在实现偏振分束的同时，两种偏振态还能各自完成功率的平分，功能新颖独特，非常具有创新性，并且器件参数消光比与功分比极佳，器件尺寸非常小。器件由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、光功能部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，光功能部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖。