公开(公告)号：CN114235232B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202111540862.X

申请日：2021-12-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 ,  王博 ,  廖俊杰 ,  黄晓东

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，包括体硅层、衬底、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、应力膜、欧姆接触、金属引线、绝缘介质层、小空腔、大空腔、内惠斯通电桥、外惠斯通电桥；顶硅层内部设有小空腔，体硅层内设有大空腔，压敏电阻位于两个空腔的四边中点的正上方，于顶硅层内。通过设置两套压敏电阻组成的两个位于不同厚度应力膜上的惠斯通电桥，分别测量不同量程范围的压力，在一定程度解决了低量程压力传感器在高压环境时失去线性度，以及高量程压力传感器在低压环境时灵敏度较低的问题，使压力传感器在具有大量程的同时兼顾低压环境的灵敏度；同时由于两个空腔在空间上上下堆叠，节约了芯片面积，提高了集成度。

公开(公告)号：CN114235232A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111540862.X

申请日：2021-12-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 ,  王博 ,  廖俊杰 ,  黄晓东

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，包括体硅层、衬底、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、应力膜、欧姆接触、金属引线、绝缘介质层、小空腔、大空腔、内惠斯通电桥、外惠斯通电桥；顶硅层内部设有小空腔，体硅层内设有大空腔，压敏电阻位于两个空腔的四边中点的正上方，于顶硅层内。通过设置两套压敏电阻组成的两个位于不同厚度应力膜上的惠斯通电桥，分别测量不同量程范围的压力，在一定程度解决了低量程压力传感器在高压环境时失去线性度，以及高量程压力传感器在低压环境时灵敏度较低的问题，使压力传感器在具有大量程的同时兼顾低压环境的灵敏度；同时由于两个空腔在空间上上下堆叠，节约了芯片面积，提高了集成度。