公开(公告)号：CN1645013A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510037664.6

申请日：2005-01-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 陈云飞 ,  陈益芳 ,  杨决宽 ,  宫昌萌 ,  胡明雨

IPC: F25B21/02 ,  H01L35/34

Abstract: 并联阵列式微型制冷器及其制备方法是一种用来提高对激光器件、计算机CPU的温度控制，改善芯片内部的散热，从而提高器件芯片的工作效率，延长使用寿命的技术，其层状结构，其位置排列依次为：P型半导体的硅基底(6)，P型半导体的缓冲层(7)，P型半导体的第一重掺杂层(8)，P型半导体的超晶格层(9)，P型半导体的第二重掺杂层(10)，P型半导体的轻掺杂层(11)，金属层(13)；二氧化硅隔离层(12)位于P型半导体之间以及金属层与P型半导体的第一重掺杂之间。制造工艺采用氧化物隔离工艺形成并联阵列式微型制冷器，因而可以提高器件制造的成品率，同时也减少了接触面积，从而使得界面接触电阻得到很大的降低，大大提高了致冷效率。

公开(公告)号：CN1280596C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510037664.6

申请日：2005-01-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 陈云飞 ,  陈益芳 ,  杨决宽 ,  宫昌萌 ,  胡明雨

IPC: F25B21/02 ,  H01L35/34

Abstract: 并联阵列式微型制冷器及其制备方法是一种用来提高对激光器件、计算机CPU的温度控制，改善芯片内部的散热，从而提高器件芯片的工作效率，延长使用寿命的技术，其层状结构，其位置排列依次为：P型半导体的硅基底(6)，P型半导体的缓冲层(7)，P型半导体的第一重掺杂层(8)，P型半导体的超晶格层(9)，P型半导体的第二重掺杂层(10)，P型半导体的第三重掺杂层(11)，金属层(13)；二氧化硅隔离层(12)位于P型半导体之间以及金属层与P型半导体的第一重掺杂之间。制造工艺采用氧化物隔离工艺形成并联阵列式微型制冷器，因而可以提高器件制造的成品率，同时也减少了接触面积，从而使得界面接触电阻得到很大的降低，大大提高了致冷效率。