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发明公开
缺陷地结构加载的太赫兹片上边射天线审中-实审

公开(公告)号：CN118738847A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410774322.5

申请日：2024-06-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 陈继新 , 唐思远 , 严蘋蘋 , 洪伟

IPC: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q19/10

Abstract: 本发明公开了一种缺陷地结构加载的太赫兹片上边射天线，该边射天线包括由上往下依次设置的顶部介质层(1)、第一金属层(2)、第二金属层(3)、第三金属层(4)、底部介质层(5)；其中，第一金属层(2)为天线的主要辐射层，第二金属层(3)为平面金属层，第三金属层(4)为天线的反射层；利用缺陷地结构在不增大芯片尺寸且不引入片外加载结构的同时实现增益和效率的提升，有利于片上大规模组阵。本发明可以获得2dBi的增益和40％的效率。

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