一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器

    公开(公告)号:CN113659940B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202110958868.2

    申请日:2021-08-20

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器,包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2),差分共发射极放大器的接地输入端(3)、差分共基极放大器的接地输入端(4)直接接地、两路放大器的同相输入端(7)相连接、两路放大器的同相输出端(5)相连接、两路放大器的反相输出端(6)相连接;差分共基极放大器基级(b)接共模电阻Rb(11)、差分共射极放大器射级(e)接共模电阻Re(13)。本发明通过将差分输入端中的一个接地,并使用共模电阻抑制共模信号,避免了传统伪差分结构共模抑制特性差、且需要旁路和隔直电容导致带宽降低的问题,具有从直流到射频的超宽带输入匹配与放大特性。

    基于基片集成波导和锥形渐变结构馈电的平面准八木天线

    公开(公告)号:CN114006157A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111253926.8

    申请日:2021-10-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种基于基片集成波导和锥形渐变结构馈电的平面准八木天线,该平面准八木天线包括金属印刷层和介质基片层,所述金属印刷层印制于介质基片层两侧构成顶层金属层和底层金属层;所述金属印刷层包括基片集成波导、锥形渐变馈电结构、偶极子辐射单元、引向器;在基片集成波导的一端连接锥形渐变馈电结构,在锥形渐变馈电结构的另一端连接偶极子辐射单元,在偶极子辐射单元的旁边设有引向器。本发明在传统平面准八木天线的偶极子双臂上分别加载十字结构和卄字结构,与传统平面准八木天线相比,该结构在保证天线高增益性能的基础上,有效改善了天线在阻抗带宽内的回波损耗。

    一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器

    公开(公告)号:CN113630097A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110947189.5

    申请日:2021-08-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器,包括晶体管放大器包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2),差分共发射极结构放大器(1)的同相输入端(3)与差分共基极结构放大器(2)的同相输入端相连接,反相输入端(4)与差分共基极结构放大器的反相输入端相连接,差分共射极结构放大器(1)的同相输出端(5)与差分共基极放大器(2)的同相输出端相连接,反相输出端(6)与差分共基极结构放大器(2)的反相输出端相连接;本发明将差分共射放大器与差分共基放大器并行交错连接,同时实现了差模信号功率合成与共模信号功率抵消,具有传统结构无法实现的优异性能。

    一种基于有源毫米波倍频器基极偏置电压和基波输入信号功率幅度关系的毫米波倍频器电路

    公开(公告)号:CN110401420A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910599066.X

    申请日:2019-07-04

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于有源毫米波倍频器基极偏置电压和基波输入信号功率幅度关系的毫米波倍频器电路,基波信号输入端连接射频耦合器,射频耦合器的直通端连接输入匹配、耦合端连接射频检波器;毫米波变压器的初级线圈的一端连接输入匹配的输出端、另一端接地;射频检波器的输出端连接单片机控制系统的输入端,单片机控制系统的输出端连接毫米波变压器的次级线圈的射频中心虚地点;次级线圈的两端分别连接倍频核的两个基极端,倍频核的两个发射极均连接输出匹配的输入端,输出匹配的输出端连接谐波信号输出端。本发明可以改善有源毫米波倍频器谐波输出信号功率,也可以改善直流到射频信号的转换效率,同时不会增加有源毫米波倍频器的功耗。

    基于相位反转可变增益放大器的有源双向移相网络

    公开(公告)号:CN119210396A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411710740.4

    申请日:2024-11-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于相位反转可变增益放大器的有源双向移相网络,所述移相网络包括依次连接的第一输入输出端口(1)、正交耦合器(2)、第一巴伦网络(3)、双向相位反转可变增益放大器网络(4)、第二巴伦网络(5)、功分器(6)、第二输入输出端口(7);所述第一巴伦网络(3)、双向相位反转可变增益放大器网络(4)、第二巴伦网络(5)分为两组,分别为I路组和Q路组。本发明通过控制相位反转可变增益放大器的偏置电压实现信号方向的切换和相位象限的选择,同时信号经过相位反转可变增益放大器中跨导级晶体管的放大,有效降低了移相网络的插入损耗。

    基于基片集成波导和锥形渐变结构馈电的平面准八木天线

    公开(公告)号:CN114006157B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202111253926.8

    申请日:2021-10-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种基于基片集成波导和锥形渐变结构馈电的平面准八木天线,该平面准八木天线包括金属印刷层和介质基片层,所述金属印刷层印制于介质基片层两侧构成顶层金属层和底层金属层;所述金属印刷层包括基片集成波导、锥形渐变馈电结构、偶极子辐射单元、引向器;在基片集成波导的一端连接锥形渐变馈电结构,在锥形渐变馈电结构的另一端连接偶极子辐射单元,在偶极子辐射单元的旁边设有引向器。本发明在传统平面准八木天线的偶极子双臂上分别加载十字结构和卄字结构,与传统平面准八木天线相比,该结构在保证天线高增益性能的基础上,有效改善了天线在阻抗带宽内的回波损耗。

    中心谐振频率可调的宽带毫米波振荡器

    公开(公告)号:CN109617527B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN201811548669.9

    申请日:2018-12-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种中心谐振频率可调的宽带毫米波振荡器,振荡器中引入了开关切换感值可调的电感。本发明通过调节开关切换感值可调的电感的开关电压(0V或1V),得到不同的基极电感值,进而改变谐振腔的中心谐振频率,结合变容管的频率调谐特性,可以大幅度改善毫米波振荡器的工作带宽。由于开关切换感值可调的电感的开关用来切换位于地平面的次级线圈,开关切换的同时对初级线圈的品质因数影响很小,因此本发明改善振荡器输出带宽的同时不恶化振荡器的相位噪声且不改变振荡器的功耗。本发明适合于宽工作频率、低相位噪声和低功耗的毫米波振荡器应用场合。

    一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器

    公开(公告)号:CN113630097B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202110947189.5

    申请日:2021-08-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器,包括晶体管放大器包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2),差分共发射极结构放大器(1)的同相输入端(3)与差分共基极结构放大器(2)的同相输入端相连接,反相输入端(4)与差分共基极结构放大器的反相输入端相连接,差分共射极结构放大器(1)的同相输出端(5)与差分共基极放大器(2)的同相输出端相连接,反相输出端(6)与差分共基极结构放大器(2)的反相输出端相连接;本发明将差分共射放大器与差分共基放大器并行交错连接,同时实现了差模信号功率合成与共模信号功率抵消,具有传统结构无法实现的优异性能。

    一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器

    公开(公告)号:CN113659940A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110958868.2

    申请日:2021-08-20

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器,包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2),差分共发射极放大器的接地输入端(3)、差分共基极放大器的接地输入端(4)直接接地、两路放大器的同相输入端(7)相连接、两路放大器的同相输出端(5)相连接、两路放大器的反相输出端(6)相连接;差分共基极放大器基级(b)接共模电阻Rb(11)、差分共射极放大器射级(e)接共模电阻Re(13)。本发明通过将差分输入端中的一个接地,并使用共模电阻抑制共模信号,避免了传统伪差分结构共模抑制特性差、且需要旁路和隔直电容导致带宽降低的问题,具有从直流到射频的超宽带输入匹配与放大特性。

    共射结构晶体管的地墙去耦合连接结构

    公开(公告)号:CN106653738B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201611255233.1

    申请日:2016-12-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种共射结构晶体管的地墙去耦合连接结构,其结构包括位于衬底中的晶体管、地墙去耦合结构、基极和集电极过孔连接阵列。硅基工艺提供靠近衬底的薄金属层和顶层的厚金属层,因此,需要过孔阵列连接顶层金属和位于衬底的晶体管,过孔阵列高度在10μm左右且距离较近,对于频率高于100GHz的毫米波亚毫米波振荡器电路,两排过孔阵列之间的耦合寄生电容达到fF量级,对振荡器性能产生极大的影响。引入发射极地墙去耦合结构,优化地墙结构的长度,可以消除晶体管基极和集电极过孔阵列之间的耦合,从而可以大幅度提升亚毫米波振荡器的输出功率和输出频率。

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