公开(公告)号：CN102610743B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210046157.9

申请日：2012-02-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 唐雁坤 ,  司小飞 ,  葛学锋 ,  赵文娟

IPC: H01L43/10 ,  C04B35/47 ,  C04B35/50 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明是一种通过可控性的磁耦合减弱及增强低场磁电阻值的复合材料制备方法。它是指在稀土锰氧化物纳米小颗粒中掺杂绝缘体氧化物大颗粒，通过体积比的调节来可控性的减弱磁耦合，从而增强复合材料低场磁电阻效应的过程，此过程中最理想的状态就是纳米小颗粒形成单链状很好的填充在绝缘体氧化物大颗粒中。材料的整个复合制备过程无需大压力，也无需高温烧结。该种复合材料不但可以得到大的低场磁电阻值（理想值在渗流域处），还可以通过掺杂不同种的钙钛矿氧化物金属相或变化金属相的颗粒尺寸来改变这种低场磁电阻值的大小，从而扩大了其适用范围。本工艺操作简单，重复性好，成本低，周期短，易于加工制作各种组件，有利于推动信息产业化的发展。

公开(公告)号：CN102610743A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210046157.9

申请日：2012-02-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 唐雁坤 ,  司小飞 ,  葛学锋 ,  赵文娟

IPC: H01L43/10 ,  C04B35/47 ,  C04B35/50 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明是一种通过可控性的磁耦合减弱及增强低场磁电阻值的复合材料制备方法。它是指在稀土锰氧化物纳米小颗粒中掺杂绝缘体氧化物大颗粒，通过体积比的调节来可控性的减弱磁耦合，从而增强复合材料低场磁电阻效应的过程，此过程中最理想的状态就是纳米小颗粒形成单链状很好的填充在绝缘体氧化物大颗粒中。材料的整个复合制备过程无需大压力，也无需高温烧结。该种复合材料不但可以得到大的低场磁电阻值（理想值在渗流域处），还可以通过掺杂不同种的钙钛矿氧化物金属相或变化金属相的颗粒尺寸来改变这种低场磁电阻值的大小，从而扩大了其适用范围。本工艺操作简单，重复性好，成本低，周期短，易于加工制作各种组件，有利于推动信息产业化的发展。