C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片

    公开(公告)号:CN113949348A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111245723.4

    申请日:2021-10-26

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 朱晓维 刘睿佳

    Abstract: 本发明公开了C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,包括宽带输入功分器、移相网络、载波放大电路和峰值放大电路;载波放大电路由第一输入匹配网络、工作于AB类状态的载波放大器、第一输出匹配网络依次级联而成;峰值放大电路由第二输入匹配网络、工作于C类状态的峰值放大器、第二输出匹配网络依次级联而成;其中第二输出匹配网络由并联漏极馈电电感、串联匹配电感、并联匹配电容及串联隔直电容依次级联而成。相对于传统的氮化镓微波单片集成Doherty功放芯片,本发明能有效拓宽功率放大器的工作带宽,进一步提升功率放大器在回退区的效率,可应用到5G大规模MIMO移动通信系统中。

    一种基于准椭圆低通滤波结构的毫米波Doherty功放芯片

    公开(公告)号:CN114142813B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202111482791.2

    申请日:2021-12-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于准椭圆低通滤波结构的毫米波Doherty功放芯片,包括宽带输入功分器、载波放大电路、峰值放大电路以及后匹配网络;载波放大电路由第一输入匹配网络、驱动级载波放大器T1、第一级间匹配网络、功率级载波放大器T2、第一输出匹配网络依次级联而成;峰值放大电路由第二输入匹配网络、驱动级峰值放大器T3、第二级间匹配网络、功率级峰值放大器T4、第二输出匹配网络依次级联而成;本发明相对于传统的毫米波氮化镓单片集成Doherty功放芯片,将基波以及二次谐波匹配网络与负载调制网络融合,进一步提升功率放大器在回退区的效率,可应用到5G毫米波大规模MIMO移动通信系统中。

    一种基于耦合矩阵综合级间匹配的三级毫米波高增益GaN功率放大器芯片

    公开(公告)号:CN114070216B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202111442644.2

    申请日:2021-11-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于耦合矩阵综合级间匹配的三级毫米波高增益GaN功率放大器芯片,其包括两级驱动放大器和末级功率放大器,以及偏置网络、输入匹配网络、级间匹配网络和输出匹配网络;级间匹配网络由三段具有特定特征阻抗的微带线和串联隔直电容组成,通过串联微带线与并联开路微带线进行直接耦合,从而确定谐振点的个数和拓扑的基本结构,可以综合出相对应的耦合系数,进而给出微带线参数的初值。本发明相对于传统的单管功率放大器可有效提高拓宽放大器的增益和输出功率,进一步提高效率;并且相对于传统的宽带功率放大器结构,本发明电路结构简单,理论分析方法易于实现,加工方便,可以应用到5G毫米波通信系统中。

    基于双补偿电抗及可调漏极电压技术的模式可切换Doherty功率放大器

    公开(公告)号:CN112134534B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202010984410.X

    申请日:2020-09-18

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 朱晓维 刘睿佳

    Abstract: 本发明公开了一种基于双补偿电抗及可调漏极电压技术的模式可切换Doherty功率放大器,包括双补偿电抗网络及可调漏极供电网络。双补偿电抗网络由三段具有特定特征阻抗且电长度为四分之一波长的阻抗变换器构成。可调漏极电压技术通过可调漏极供电网络实现。本发明相对于传统的双模Doherty功率放大器可有效拓宽放大器的工作带宽,进一步提升放大器在双频模式下的饱和功率及效率。并且,相对于传统的宽带数字Doherty功率放大器结构,本发明结构简单,可靠性高,加工方便,可以应用到5G移动通信系统中。

    一种功放级间匹配网络以及宽带低插损优化方法

    公开(公告)号:CN114172470A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111534331.X

    申请日:2021-12-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种功放级间匹配网络及其宽带低插损优化方法,该功放级间匹配网络应用于氮化镓毫米波多级功率放大器芯片的级间匹配网络,该匹配网络为一种“π”型功放级间匹配网络,其中第一馈电网络微带线(131)、第一馈电网络电容(C2)同时作为微带线匹配枝节;所述第二偏置网络微带线(132)、第二偏置网络稳定电阻(133)、第二偏置网络电容(C3)同时作为微带线匹配枝节以及稳定电路。本发明的网络与优化方法能够补偿两级功放前后HEMT管的寄生电容,实现插损和品质因数的优化,提高设计效率,提升毫米波功率放大器的效率与带宽。

    基于等效并联管芯结构的毫米波非对称Doherty功放芯片

    公开(公告)号:CN115529012A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202210989828.9

    申请日:2022-08-17

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了基于等效并联管芯结构的毫米波非对称Doherty功放芯片,该功放芯片包括:宽带输入功分器(1),载波放大电路(2)、峰值放大电路(3)、后匹配网络(4),所述宽带输入功分器的输入端与射频信号输入端连接;载波放大电路的输出端与峰值放大电路的输出端合路后,与后匹配网络的输入端连接;后匹配网络的输出端连接射频信号的输出端。相对于传统的毫米波非对称氮化镓单片集成Doherty功放芯片,本发明解决了传统毫米波非对称Doherty功放中峰值放大器功率级大尺寸晶体管增益较低、关断状态下输出阻抗小以及饱和效率偏低等问题,实现了更好的宽带特性,可应用到5G毫米波大规模MIMO移动通信系统中。

    基于双补偿电抗及可调漏极电压技术的模式可切换Doherty功率放大器

    公开(公告)号:CN112134534A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202010984410.X

    申请日:2020-09-18

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 朱晓维 刘睿佳

    Abstract: 本发明公开了一种基于双补偿电抗及可调漏极电压技术的模式可切换Doherty功率放大器,包括双补偿电抗网络及可调漏极供电网络。双补偿电抗网络由三段具有特定特征阻抗且电长度为四分之一波长的阻抗变换器构成。可调漏极电压技术通过可调漏极供电网络实现。本发明相对于传统的双模Doherty功率放大器可有效拓宽放大器的工作带宽,进一步提升放大器在双频模式下的饱和功率及效率。并且,相对于传统的宽带数字Doherty功率放大器结构,本发明结构简单,可靠性高,加工方便,可以应用到5G移动通信系统中。

    一种功放级间匹配网络以及宽带低插损优化方法

    公开(公告)号:CN114172470B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202111534331.X

    申请日:2021-12-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种功放级间匹配网络及其宽带低插损优化方法,该功放级间匹配网络应用于氮化镓毫米波多级功率放大器芯片的级间匹配网络,该匹配网络为一种“π”型功放级间匹配网络,其中第一馈电网络微带线(131)、第一馈电网络电容(C2)同时作为微带线匹配枝节;所述第二偏置网络微带线(132)、第二偏置网络稳定电阻(133)、第二偏置网络电容(C3)同时作为微带线匹配枝节以及稳定电路。本发明的网络与优化方法能够补偿两级功放前后HEMT管的寄生电容,实现插损和品质因数的优化,提高设计效率,提升毫米波功率放大器的效率与带宽。

    一种基于准椭圆低通滤波结构的毫米波Doherty功放芯片

    公开(公告)号:CN114142813A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111482791.2

    申请日:2021-12-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于准椭圆低通滤波结构的毫米波Doherty功放芯片,包括宽带输入功分器、载波放大电路、峰值放大电路以及后匹配网络;载波放大电路由第一输入匹配网络、驱动级载波放大器T1、第一级间匹配网络、功率级载波放大器T2、第一输出匹配网络依次级联而成;峰值放大电路由第二输入匹配网络、驱动级峰值放大器T3、第二级间匹配网络、功率级峰值放大器T4、第二输出匹配网络依次级联而成;本发明相对于传统的毫米波氮化镓单片集成Doherty功放芯片,将基波以及二次谐波匹配网络与负载调制网络融合,进一步提升功率放大器在回退区的效率,可应用到5G毫米波大规模MIMO移动通信系统中。

    一种基于耦合矩阵综合级间匹配的三级毫米波高增益GaN功率放大器芯片

    公开(公告)号:CN114070216A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111442644.2

    申请日:2021-11-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于耦合矩阵综合级间匹配的三级毫米波高增益GaN功率放大器芯片,其包括两级驱动放大器和末级功率放大器,以及偏置网络、输入匹配网络、级间匹配网络和输出匹配网络;级间匹配网络由三段具有特定特征阻抗的微带线和串联隔直电容组成,通过串联微带线与并联开路微带线进行直接耦合,从而确定谐振点的个数和拓扑的基本结构,可以综合出相对应的耦合系数,进而给出微带线参数的初值。本发明相对于传统的单管功率放大器可有效提高拓宽放大器的增益和输出功率,进一步提高效率;并且相对于传统的宽带功率放大器结构,本发明电路结构简单,理论分析方法易于实现,加工方便,可以应用到5G毫米波通信系统中。

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