公开(公告)号：CN115327236B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202210985907.2

申请日：2022-08-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 ,  冯耀刚 ,  李喆然

IPC: G01R27/06 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了基于多端口环形结的可重构频率MEMS驻波计及制备方法，其主要由环形定向耦合器、MEMS热电式微波功率传感器和MEMS可变电容器构成。位于环形定向耦合器的耦合端口和隔离端口的两个热电式MEMS微波功率传感器分别测量出耦合端口和隔离端口处的输出微波功率大小，进而可得入射微波功率和反射微波功率的大小，从而得到驻波比的大小；六个相同的MEMS可变电容器分别等距放置在环形定向耦合器上，在驱动电极上施加不同的驱动电压，即可改变MEMS双端固支梁的高度，从而改变环形定向耦合器各端口之间的电长度，实现该微波驻波计的工作频率连续调谐。本发明具有微型化和可调谐特点，与硅基CMOS工艺兼容，便于集成。

公开(公告)号：CN118936694A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410989912.X

申请日：2024-07-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 ,  姜涛 ,  袁子杰 ,  冯耀刚

IPC: G01L1/18

Abstract: 本发明公开了一种高一致性MEMS压力传感器及其制备方法，采用集成膜内惠斯通电桥和膜外惠斯通电桥的双桥结构，其中膜内惠斯通电桥由四个分布在敏感薄膜四边中心位置的压敏电阻构成，膜外惠斯通电桥由膜外硅器件层上的四个压敏电阻构成，且内外惠斯通电桥的对应压敏电阻尺寸一致；通过将膜内惠斯通电桥和膜外惠斯通电桥的输出电压相减，可以有效降低压敏电阻阻值失配对零点输出的影响，从而实现对工艺随机误差导致的零点漂移偏差的预补偿，有助于提高批量生产时芯片的一致性性能。此外，本发明的高一致性MEMS压力传感器制备方法无需额外工艺步骤，有利于提高传感器的集成化，具有工艺简单、成本低及易于批量生产的优点。

公开(公告)号：CN115327236A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210985907.2

申请日：2022-08-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 ,  冯耀刚 ,  李喆然

IPC: G01R27/06 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了基于多端口环形结的可重构频率MEMS驻波计及制备方法，其主要由环形定向耦合器、MEMS热电式微波功率传感器和MEMS可变电容器构成。位于环形定向耦合器的耦合端口和隔离端口的两个热电式MEMS微波功率传感器分别测量出耦合端口和隔离端口处的输出微波功率大小，进而可得入射微波功率和反射微波功率的大小，从而得到驻波比的大小；六个相同的MEMS可变电容器分别等距放置在环形定向耦合器上，在驱动电极上施加不同的驱动电压，即可改变MEMS双端固支梁的高度，从而改变环形定向耦合器各端口之间的电长度，实现该微波驻波计的工作频率连续调谐。本发明具有微型化和可调谐特点，与硅基CMOS工艺兼容，便于集成。