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公开(公告)号:CN105045722B
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201510530922.8
申请日:2015-08-26
Applicant: 东南大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种用于高性能RF自动测试平台的DDR2‑SDRAM控制器及相应的低延迟优化方法,该DDR2‑SDRAM控制器特点是,第一其并不将外部存储模组视为单个资源,而是根据DRAM模组的rank和bank结构,将存储器存储空间划为几个独立的逻辑资源,每个资源为一个有访存需求的任务私有,并在此基础上本发明设计了相应的仲裁方式和指令序列。第二是其改进了刷新机制,控制器在60个访存指令周期的结尾安排1个刷新周期,通过行访问刷新存储阵列中的指定行,将刷新时间化整为零,降低了访存请求和刷新请求冲突对访存延迟的影响。最终使得系统各任务的最大访存延迟性能得到比较大的改善。
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公开(公告)号:CN105045722A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510530922.8
申请日:2015-08-26
Applicant: 东南大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种用于高性能RF自动测试平台的DDR2-SDRAM控制器及相应的低延迟优化方法,该DDR2-SDRAM控制器特点是,第一其并不将外部存储模组视为单个资源,而是根据DRAM模组的rank和bank结构,将存储器存储空间划为几个独立的逻辑资源,每个资源为一个有访存需求的任务私有,并在此基础上本发明设计了相应的仲裁方式和指令序列。第二是其改进了刷新机制,控制器在60个访存指令周期的结尾安排1个刷新周期,通过行访问刷新存储阵列中的指定行,将刷新时间化整为零,降低了访存请求和刷新请求冲突对访存延迟的影响。最终使得系统各任务的最大访存延迟性能得到比较大的改善。
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