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公开(公告)号：CN117154361A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311318087.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水平垂直交叉耦合的双层基片集成波导矩形腔滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、粘结层、下层单元。第一矩形谐振腔(R1)与第二矩形谐振腔(R2)通过第一耦合槽(13)和第三耦合槽(15)形成垂直耦合，第二矩形谐振腔与第三矩形谐振腔(R3)通过第二耦合槽(14)和第三耦合槽形成垂直耦合；第一矩形谐振腔和第三矩形谐振腔通过耦合窗(12)形成水平耦合；垂直耦合路径为主耦合路径，水平耦合路径为交叉耦合路径，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构，本发明在提升了滤波器选择性的情况下，实现了小型化。适用于24GHz‑26GHz频段，可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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公开(公告)号：CN119009412A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410828100.7
申请日：2024-06-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元。上层单元的两个1/4模谐振腔与下层单元的全模谐振腔通过位于第二金属层的金属开槽形成垂直耦合，上层单元的两个1/4模谐振腔通过第一金属层的腔体连接处形成水平交叉耦合，输入微带线和一个1/4模谐振腔通过第一金属层的源谐振器耦合线形成水平源谐振器耦合。相对于传统的三阶基片集成波导滤波器，本发明在提升了滤波器选择性的情况下，利用垂直耦合结构及1/4模腔技术实现了小型化。本发明加工方便，水平垂直交叉耦合结构及1/4模腔技术通过普通的多层PCB工艺即可实现，适用于24GHz‑26GHz频段，可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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公开(公告)号：CN118099685A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311789841.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元。上层单元的两个半模谐振腔与下层单元的全模谐振腔通过位于第二金属层的金属开槽形成垂直耦合，上层单元的两个半模谐振腔通过第一金属层的微带短截线形成水平耦合。垂直耦合路径为主耦合路径，水平耦合路径为交叉耦合路径，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构，可为滤波器增加一个传输零点。第三金属层所开的金属半环形缝隙可以用以调整全模谐振腔的谐振频率。本发明在提升了滤波器选择性的情况下，利用垂直耦合结构及半模腔技术实现了小型化。可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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