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公开(公告)号：CN116190965B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202211655436.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种慢波朗格耦合器芯片。包括金属耦合线、端口连接线、金属通孔、金属连线、金属条带、金属栅条和金属地，其中金属耦合线和端口连接线相连并位于金属地的上方，金属耦合线通过金属通孔及金属连线相连；金属条带采用叉指结构，其位于金属耦合线下侧并通过金属通孔与耦合线连接；金属地开槽，金属栅条位于金属耦合线、金属连线及金属条带的下侧，并处于金属地开槽的中心。本发明实现了朗格耦合器性能，且易于调整耦合线的特征阻抗，更重要的是，该耦合器具有慢波效应，解决了朗格耦合器芯片面积大、加工成本高、在片实现难等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115833756A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211625911.4
申请日：2022-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种集成有源巴伦的宽带小型化混频器，包括有源巴伦电路、中频放大电路、射频与本振匹配电路以及基于增益倍增技术的混频电路。其中，有源巴伦电路使输入的单端中频信号转变为差分中频信号，中频放大电路的漏极输出直接与混频电路相连，基于增益倍增技术的混频电路将变压器单转双馈入的本振信号与中频放大电路馈入的中频信号进行双平衡混频，射频匹配电路将射频信号转化为单端信号输出。区别于传统吉尔伯特混频器，本发明中频采用有源巴伦技术与基于电流复用的推挽放大器技术，有效提升了混频器的带宽及转换增益，并大幅减少芯片面积及制造成本，同时混频采用增益倍增技术，在低功耗的前提下进一步提高混频器的转换增益。
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公开(公告)号：CN115085675A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210719956.1
申请日：2022-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于半封闭耦合结构的硅基太赫兹五倍频器，包括输入巴伦、四次谐波倍频单元、级间变压器、单平衡混频单元以及输出巴伦。单端基波信号由输入巴伦转成差分信号注入倍频单元，同时，从输入巴伦的差分端口功分一路差分信号作为混频单元的本振。倍频单元产生四次谐波以单端模式注入到混频单元的源级端并作为中频信号。混频单元将基波和四次谐波混频产生五倍频差分信号，输出巴伦将差分信号转为单端输出。输入巴伦和输出巴伦均采用一种半封闭耦合结构以降低无源器件的耦合损耗，该结构有着强耦合、高设计自由度的特点，解决了硅基毫米波太赫兹电路无源耦合结构损耗大的问题，提升了太赫兹倍频器的输出功率。
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公开(公告)号：CN115085675B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210719956.1
申请日：2022-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于半封闭耦合结构的硅基太赫兹五倍频器，包括输入巴伦、四次谐波倍频单元、级间变压器、单平衡混频单元以及输出巴伦。单端基波信号由输入巴伦转成差分信号注入倍频单元，同时，从输入巴伦的差分端口功分一路差分信号作为混频单元的本振。倍频单元产生四次谐波以单端模式注入到混频单元的源级端并作为中频信号。混频单元将基波和四次谐波混频产生五倍频差分信号，输出巴伦将差分信号转为单端输出。输入巴伦和输出巴伦均采用一种半封闭耦合结构以降低无源器件的耦合损耗，该结构有着强耦合、高设计自由度的特点，解决了硅基毫米波太赫兹电路无源耦合结构损耗大的问题，提升了太赫兹倍频器的输出功率。
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公开(公告)号：CN116231276A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194714.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室 , 东南大学
Abstract: 本申请涉及一种片上天线和片上天线装置。所述片上天线包括：第一天线部，所述第一天线部中设置有寄生贴片；第二天线部，所述第二天线部中设置有辐射贴片和与所述辐射贴片连接的馈线，所述馈线用于向所述辐射贴片馈入高频信号；承载结构，所述承载结构设置于所述第一天线部和所述第二天线部之间，使得所述寄生贴片和所述辐射贴片之间形成空气层，以使所述高频信号在所述空气层中进行电磁耦合后传输至所述寄生贴片。辐射贴片可以通过空气层将接收到的高频信号辐射至寄生贴片来实现信号传输，这种通过空气进行信号传输的方式，能够达到降低信号传输损耗，提高辐射效率的目的。
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公开(公告)号：CN116190965A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211655436.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种慢波朗格耦合器芯片。包括金属耦合线、端口连接线、金属通孔、金属连线、金属条带、金属栅条和金属地，其中金属耦合线和端口连接线相连并位于金属地的上方，金属耦合线通过金属通孔及金属连线相连；金属条带采用叉指结构，其位于金属耦合线下侧并通过金属通孔与耦合线连接；金属地开槽，金属栅条位于金属耦合线、金属连线及金属条带的下侧，并处于金属地开槽的中心。本发明实现了朗格耦合器性能，且易于调整耦合线的特征阻抗，更重要的是，该耦合器具有慢波效应，解决了朗格耦合器芯片面积大、加工成本高、在片实现难等问题。
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