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公开(公告)号：CN113445025A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110620178.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法；属于晶圆级二维半导体材料薄膜制备领域。本发明要解决现有机械剥离法制备获得的二维In2Se3尺寸过小且难以控制，以及脉冲激光沉积制备成本过高、性能较差的技术问题。本发明的方法：一、配置硝酸铟溶液，过滤；二、量取步骤一所得溶液，高速旋涂于晶圆级尺寸的基底上，进行加热除杂后再受热分解，得到氧化铟薄膜，再对氧化铟薄膜进行高温退火处理；三、对氧化铟薄膜置于CVD炉中进行原位硒化处理，得到大尺寸二维In2Se3薄膜。本发明合成得到的二维In2Se3薄膜尺寸大、均匀度好、表面清洁，用于制作大面积、集成化电子和光电器件。
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公开(公告)号：CN113445025B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110620178.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法；属于晶圆级二维半导体材料薄膜制备领域。本发明要解决现有机械剥离法制备获得的二维In2Se3尺寸过小且难以控制，以及脉冲激光沉积制备成本过高、性能较差的技术问题。本发明的方法：一、配置硝酸铟溶液，过滤；二、量取步骤一所得溶液，高速旋涂于晶圆级尺寸的基底上，进行加热除杂后再受热分解，得到氧化铟薄膜，再对氧化铟薄膜进行高温退火处理；三、对氧化铟薄膜置于CVD炉中进行原位硒化处理，得到大尺寸二维In2Se3薄膜。本发明合成得到的二维In2Se3薄膜尺寸大、均匀度好、表面清洁，用于制作大面积、集成化电子和光电器件。
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公开(公告)号：CN112829151B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011489342.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的目的在于解决现有机械剥离法获得的硒化铟随机性较强且产率过低，以及脉冲激光沉积法和化学气相沉积法制备步骤复杂，生产成本高，不适合大规模生产的技术问题。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。
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公开(公告)号：CN116791164A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310732911.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 东北林业大学
IPC: C25D9/04 , C25D5/54 , C03C17/22 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种通过电化学沉积制备具有双极性Se/lnSe异质结光电化学光电探测器的方法；属于光电子半导体器件领域。本发明有效提升光电探测器性能，同时解决光电探测器应用于水下光通讯抗拦截能力差的问题。本发明的方法：步骤一、将硝酸铟和亚硒酸盐加入溶剂，用酸调节pH到酸性；步骤二、然后电化学沉积在导电玻璃表面；步骤三、然后在惰性气氛下低温退火处理，得到Se‑lnSePECPD。本发明方法合成得到的Se‑lnSe异质结尺寸大、均匀度好、表面清洁，适用于制作大面积、集成化电子和光电器件。
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公开(公告)号：CN116435105A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310348091.7
申请日：2023-04-04
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过真空抽滤制备MXene/碳纳米管/木质素磺酸钠复合柔性薄膜及其制备方法和应用，属于超级电容器技术领域。本发明解决现有MXene制备过程中，相邻的Ti3C2Tx纳米片不可避免地会通过范德华相互作用堆积，严重降低了材料的比表面积和电化学性能的制备方法。本发明方法如下：一、将MAX相在刻蚀剂中搅拌，离心洗涤得到MXene溶液；二、将碳纳米管和木质素磺酸钠分别超声分散均匀，一同与步骤一得到的MXene溶液混合，再次超声混合均匀，然后真空抽滤处理，得到所述复合柔性储能薄膜。本发明合成得到的复合柔性储能薄膜具有良好的柔韧性，可以提供优异的电化学储能性能，并改善MXene材料的重堆积问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411331B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811235022.0
申请日：2018-10-23
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用，属于高性能光电探测器领域；二维超晶格硒化铟的制备方法为：SiO2/Si基底预处理；用透明胶带粘贴InSe材料后转移到SiO2/Si基底上，浸泡丙酮；真空条件下高温处理，即可在SiO2/Si基底表面制得二维超晶格InSe纳米片。本发明方法制备的二维超晶格InSe具有高的电学输运性能、高的光响应、良好的稳定性和快速的光响应速度，在高性能光电探测器领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109411331A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811235022.0
申请日：2018-10-23
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用，属于高性能光电探测器领域；二维超晶格硒化铟的制备方法为：SiO2/Si基底预处理；用透明胶带粘贴InSe材料后转移到SiO2/Si基底上，浸泡丙酮；真空条件下高温处理，即可在SiO2/Si基底表面制得二维超晶格InSe纳米片。本发明方法制备的二维超晶格InSe具有高的电学输运性能、高的光响应、良好的稳定性和快速的光响应速度，在高性能光电探测器领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112829151A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011489342.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的目的在于解决现有机械剥离法获得的硒化铟随机性较强且产率过低，以及脉冲激光沉积法和化学气相沉积法制备步骤复杂，生产成本高，不适合大规模生产的技术问题。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。
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公开(公告)号：CN109285900B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811292091.5
申请日：2018-10-31
Applicant: 东北林业大学
IPC: H01L31/0328 , C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种二维Ca1‑xInxSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用，属于材料制备技术及高性能可见‑近红外光电探测器领域；合金的制备方法为：将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，抽真空，升温后保温，降温得块体合金材料；将SiO2/Si基底进行预处理；透明胶带粘贴块体合金材料，然后粘贴在处理后的基底上，浸泡在丙酮中，取出基底即可在其表面获得随机分布的二维Ca1‑xInxSe合金。制备的二维合金用于制备光电探测器，在可见‑近红外光照射下电流显著增加，合金具有很好的光电探测性能，光响应值高达应变系数高达258A/W，是GaSe光响应值的92倍。
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公开(公告)号：CN109285900A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811292091.5
申请日：2018-10-31
Applicant: 东北林业大学
IPC: H01L31/0328 , C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种二维Ca1-xInxSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用，属于材料制备技术及高性能可见-近红外光电探测器领域；合金的制备方法为：将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，抽真空，升温后保温，降温得块体合金材料；将SiO2/Si基底进行预处理；透明胶带粘贴块体合金材料，然后粘贴在处理后的基底上，浸泡在丙酮中，取出基底即可在其表面获得随机分布的二维Ca1-xInxSe合金。制备的二维合金用于制备光电探测器，在可见-近红外光照射下电流显著增加，合金具有很好的光电探测性能，光响应值高达应变系数高达258A/W，是GaSe光响应值的92倍。
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