基于AFM敲击加工轨迹测压电剪切叠堆高频运动位移的方法

    公开(公告)号:CN114155219B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202111446867.6

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 基于AFM敲击加工轨迹测压电剪切叠堆高频运动位移的方法,属于压电驱动技术领域。它能够实现以半接触的方式对其二维高频复杂运动的准确检测。该方法,包括以下步骤:S1.制备PMMA薄膜;S2.搭建加工装置,将PMMA薄膜安装在加工装置上;S3.AFM对PMMA薄膜进行敲击加工,确定AFM探针敲击加工的驱动振幅;S4.AFM原位敲击加工二维高频运动的PMMA薄膜;S5.AFM探针对敲击加工的轨迹进行扫描测量,表征两轴压电剪切叠堆运动的轨迹;S6.实现不同电压及频率下两轴压电剪切叠堆的横向位移、纵向位移及其运动位移表征。本发明将微纳加工技术中的AFM敲击刻划加工与压电陶瓷结合,实现了对两轴压电剪切叠堆在二维平面的高频运动轨迹的准确表征。

    基于AFM敲击加工轨迹测压电剪切叠堆高频运动位移的方法

    公开(公告)号:CN114155219A

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202111446867.6

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 基于AFM敲击加工轨迹测压电剪切叠堆高频运动位移的方法,属于压电驱动技术领域。它能够实现以半接触的方式对其二维高频复杂运动的准确检测。该方法,包括以下步骤:S1.制备PMMA薄膜;S2.搭建加工装置,将PMMA薄膜安装在加工装置上;S3.AFM对PMMA薄膜进行敲击加工,确定AFM探针敲击加工的驱动振幅;S4.AFM原位敲击加工二维高频运动的PMMA薄膜;S5.AFM探针对敲击加工的轨迹进行扫描测量,表征两轴压电剪切叠堆运动的轨迹;S6.实现不同电压及频率下两轴压电剪切叠堆的横向位移、纵向位移及其运动位移表征。本发明将微纳加工技术中的AFM敲击刻划加工与压电陶瓷结合,实现了对两轴压电剪切叠堆在二维平面的高频运动轨迹的准确表征。

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