公开(公告)号：CN104040694A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066438.9

申请日：2012-11-08

Applicant: 东北大学

Inventor： A·布斯奈納 ,  H·卓 ,  S·索穆 ,  J·黄

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C25D13/02 ,  B82B3/0042 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D13/00 ,  C25D15/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/882

Abstract: 镶嵌模板具有设置在跨越衬底延伸的下层导电层上的二维图案化升高金属特征。所述模板总体具有平坦形貌，所述图案化导电特征建立了用于将纳米元件组装到纳米级电路和传感器内的微米级和纳米级图案。采用微制造技术连同化学机械抛光制造所述模板。这些模板与包括电泳在内的各种定向组装技术兼容，并且能够在连续操作周期内提供纳米元件的基本上100％有效的组装和转移。可以在损坏最低或者没有损坏的情况下将所述模板成千上万次地重复用于图案化纳米元件的转移，所述转移过程不设计周期之间的中间处理。在室温和压力下执行所采用的组装和转移过程，因而所述过程经得起低成本、高速率器件制造的检验。

公开(公告)号：CN104040694B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201280066438.9

申请日：2012-11-08

Applicant: 东北大学

Inventor： A·布斯奈納 ,  H·卓 ,  S·索穆 ,  J·黄

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C25D13/02 ,  B82B3/0042 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D13/00 ,  C25D15/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/882

Abstract: 镶嵌模板具有设置在跨越衬底延伸的下层导电层上的二维图案化升高金属特征。所述模板总体具有平坦形貌，所述图案化导电特征建立了用于将纳米元件组装到纳米级电路和传感器内的微米级和纳米级图案。采用微制造技术连同化学机械抛光制造所述模板。这些模板与包括电泳在内的各种定向组装技术兼容，并且能够在连续操作周期内提供纳米元件的基本上100％有效的组装和转移。可以在损坏最低或者没有损坏的情况下将所述模板成千上万次地重复用于图案化纳米元件的转移，所述转移过程不设计周期之间的中间处理。在室温和压力下执行所采用的组装和转移过程，因而所述过程经得起低成本、高速率器件制造的检验。