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公开(公告)号：CN110289349B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910564768.4
申请日：2019-06-27
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明的一种磁性可调控的复合金属酞菁薄膜及其制备方法。金属酞菁包括过渡族金属酞菁和稀土金属酞菁。复合金属酞菁薄膜由厚度比为(9～1)：(1～5)的磁性金属酞菁与非磁性金属酞菁复合而成。制备时，在非磁性衬底上，采用有机共蒸发的方法，共同蒸发一种磁性金属酞菁和一种非磁性金属酞菁，制备出复合金属酞菁薄膜。其薄膜厚度在10～100nm之间，薄膜中非磁性和磁性金属酞菁的摩尔比通过调整蒸发温度控制。复合金属酞菁薄膜的磁性可以通过改变薄膜中非磁性/磁性金属酞菁的摩尔比例，使得非磁性金属酞菁在磁性金属酞菁中均匀分布，有效间隔了磁性金属酞菁分子，从而实现对薄膜磁性的有效调控。
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公开(公告)号：CN110289349A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910564768.4
申请日：2019-06-27
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明的一种磁性可调控的复合金属酞菁薄膜及其制备方法。金属酞菁包括过渡族金属酞菁和稀土金属酞菁。复合金属酞菁薄膜由厚度比为(9～1)：(1～5)的磁性金属酞菁与非磁性金属酞菁复合而成。制备时，在非磁性衬底上，采用有机共蒸发的方法，共同蒸发一种磁性金属酞菁和一种非磁性金属酞菁，制备出复合金属酞菁薄膜。其薄膜厚度在10～100nm之间，薄膜中非磁性和磁性金属酞菁的摩尔比通过调整蒸发温度控制。复合金属酞菁薄膜的磁性可以通过改变薄膜中非磁性/磁性金属酞菁的摩尔比例，使得非磁性金属酞菁在磁性金属酞菁中均匀分布，有效间隔了磁性金属酞菁分子，从而实现对薄膜磁性的有效调控。
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