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公开(公告)号：CN117966097A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410132202.5
申请日：2024-01-31
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供了一种聚醚醚酮/Cu复合薄膜及其制备方法和应用，属于覆铜板和集流膜技术领域。本发明在聚醚醚酮薄膜的单面或双面磁控溅射过渡层和Cu层，并控制过渡层的具体种类，采用高活性的Al、Ti、Cr或其合金，既能够与聚醚醚酮薄膜中的官能团形成化学键，又能够与Cu层形成冶金结合，从而提高聚醚醚酮和Cu之间的结合力，且制备方法简单、效率高、没有环境污染。实施例的结果显示，本发明制备的复合薄膜的剥离强度＞16.76N/cm，超过电子行业要求。
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公开(公告)号：CN117976347A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410132200.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供了一种聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线及其制备方法和应用，属于电磁线技术领域。本发明首先在铜电磁线表面磁控溅射过渡层并控制过渡层的种类，采用高活性的Al、Ti、Cr或其合金，既能够与聚醚醚酮薄膜中的官能团形成化学键，又能够与Cu层形成冶金结合，从而提高聚醚醚酮和Cu之间的结合力，然后包覆聚醚醚酮薄膜，聚醚醚酮具有较高的稳定性、力学性能、绝缘性和耐高压击穿及抗电晕能力，且厚度较薄，最后进行热处理，使得聚醚醚酮薄膜厚度均匀、致密，从而使制备的聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线具有优异的性能，制备方法简单，绿色环保。
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公开(公告)号：CN117966096A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410132198.2
申请日：2024-01-31
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供了一种聚酰亚胺/Cu复合薄膜及其制备方法和应用，属于覆铜板和集流膜技术领域。本发明在聚酰亚胺薄膜的单面或双面磁控溅射过渡层和Cu层，并控制过渡层的具体种类，采用高活性的Al、Ti、Cr或其合金，既能够与聚酰亚胺薄膜中的官能团形成化学键，又能够与Cu层形成冶金结合，从而提高聚酰亚胺和Cu之间的结合力，且制备方法简单、效率高、没有环境污染。实施例的结果显示，本发明制备的复合薄膜的剥离强度＞18.34N/cm，超过电子行业要求。
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