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公开(公告)号：CN116944610A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311206689.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 东北大学
IPC: B23K1/00 , B23K1/19 , B23K103/12 , B23K103/00
Abstract: 本发明公开了一种采用钎焊工艺制备金刚石双面覆铜基板的方法及应用，将金刚石基片、活性焊料、铜箔按照铜箔/活性焊料/金刚石基片/活性焊料/铜箔方式堆叠后真空钎焊连接，然后经切割处理后既得金刚石双面覆铜基板；所述活性焊料成分由选自钛、锆、钒、钽、铪、铌、铬、铝、镁中的至少一种活性元素与选自金、铜、银、锡、铟、镍、钯中的至少一种非活性元素组成。属于芯片载板和散热技术领域关键核心技术。金刚石双面覆铜基板的制备，为高性能功率芯片和激光芯片模块制造奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114029651A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111366086.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了含钛活性钎料及其制备方法和应用，解决了含钛活性钎料易氧化、难加工难题。本发明以氢化钛作为钛源，采用真空加压烧结将其他金属和氢化钛混合粉烧结成块体，再将块体轧制成箔带、拉拔成丝材或冲压成不同形状片材。本发明技术新颖，可制备高质量含钛活性钎料，满足半导体封装需求。用该钎料封装的半导体器件在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN116038179A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063225.0
申请日：2023-01-18
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种银铜钛钎料及其制备方法和应用。本发明以银包覆氢化钛粉为原料，采用真空加压烧结将银包覆氢化钛粉、铜粉和其他金属组成的混合粉体烧结成块体，再将块体轧制成箔带、拉拔成丝材或冲压成不同形状片材。本发明技术新颖，制备的高质量高性能银铜钛钎料满足半导体封装和材料连接需求。在航空航天、高速铁路、智能电网、电动汽车与新能源装备等领域应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN114029651B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111366086.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了含钛活性钎料及其制备方法和应用，解决了含钛活性钎料易氧化、难加工难题。本发明以氢化钛作为钛源，采用真空加压烧结将其他金属和氢化钛混合粉烧结成块体，再将块体轧制成箔带、拉拔成丝材或冲压成不同形状片材。本发明技术新颖，可制备高质量含钛活性钎料，满足半导体封装需求。用该钎料封装的半导体器件在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域有广阔应用前景。
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