公开(公告)号：CN107550491A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710814121.3

申请日：2017-09-11

Applicant: 东北大学

Inventor： 于忠亮 ,  宋锦春

IPC: A61B5/0476 ,  A61B5/00 ,  G06K9/62

Abstract: 本发明涉及脑-机接口技术领域，尤其涉及一种多类别运动想象分类识别方法。本发明的多类别运动想象分类识别方法基于奇异值分解与深度玻尔兹曼机，利用奇异值分解算法对各导联运动想象特征矩阵进行降维、消噪，采用深度玻尔兹曼机对运动想象特征进行深层抽象，以提取潜在运动想象特征。本发明方法与现有技术相比，能够直接实现多类别运动想象识别且可自适应消噪，并显著地提高运动想象识别正确率。

公开(公告)号：CN107550491B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201710814121.3

申请日：2017-09-11

Applicant: 东北大学

Inventor： 于忠亮 ,  宋锦春

IPC: A61B5/0476 ,  A61B5/00 ,  G06K9/62

Abstract: 本发明涉及脑‑机接口技术领域，尤其涉及一种多类别运动想象分类识别方法。本发明的多类别运动想象分类识别方法基于奇异值分解与深度玻尔兹曼机，利用奇异值分解算法对各导联运动想象特征矩阵进行降维、消噪，采用深度玻尔兹曼机对运动想象特征进行深层抽象，以提取潜在运动想象特征。本发明方法与现有技术相比，能够直接实现多类别运动想象识别且可自适应消噪，并显著地提高运动想象识别正确率。

公开(公告)号：CN107941407B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201711152177.3

申请日：2017-11-19

Applicant: 东北大学

Inventor： 于忠亮 ,  宋锦春

IPC: G01L9/00

Abstract: 本发明涉及一种微压高过载传感器芯片，包括由下至上依次叠置的基底、器件层和氧化层，其中设有多个第一上凹槽和多个第二上凹槽，形成一个上部中心岛、多个上部辐射岛、多根敏感梁、多根引线梁、一个环形梁和一个上部衬底；器件层的下表面上形成有下凹槽，一个下部中心岛、多个下部辐射岛和一个下部衬底；基底中设有能够供下部中心岛和下部辐射岛下移时自由进入的通孔。本发明解决了现有技术中因应力敏感区与高应力区重叠在一起而导致的传感器的灵敏度与过载阻抗之间矛盾的问题，有利于灵敏度与过载阻抗的同步提升，并显著地改善传感器的动态特性。

公开(公告)号：CN107941407A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711152177.3

申请日：2017-11-19

Applicant: 东北大学

Inventor： 于忠亮 ,  宋锦春

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0055

Abstract: 本发明涉及一种微压高过载传感器芯片，包括由下至上依次叠置的基底、器件层和氧化层，其中设有多个第一上凹槽和多个第二上凹槽，形成一个上部中心岛、多个上部辐射岛、多根敏感梁、多根引线梁、一个环形梁和一个上部衬底；器件层的下表面上形成有下凹槽，一个下部中心岛、多个下部辐射岛和一个下部衬底；基底中设有能够供下部中心岛和下部辐射岛下移时自由进入的通孔。本发明解决了现有技术中因应力敏感区与高应力区重叠在一起而导致的传感器的灵敏度与过载阻抗之间矛盾的问题，有利于灵敏度与过载阻抗的同步提升，并显著地改善传感器的动态特性。