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发明公开
等离子体处理装置审中-实审

公开(公告)号：CN114388328A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111187847.1

申请日：2021-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 仙田孝博 , 植村雄三 , 桑原有生 , 氏家智也

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置用于提高上部电极或其周边的温度的测定精度。该等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其配置于所述处理室内，用于载置基板；上部电极，其与所述载置台相向；调整所述上部电极的温度的构件；第一传感器，其设置于调整所述上部电极的温度的构件的内部，用于测定所述上部电极的温度；第一片构件，其配置于所述上部电极与所述第一传感器之间，该第一片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。

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