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公开(公告)号：CN115443523A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180029630.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05D3/12 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。
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