公开(公告)号：CN1692480A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN03802282.6

申请日：2003-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷武司 ,  加藤寿 ,  李镇秀 ,  真久真吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452

Abstract: CVD装置(2)形成由从氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜所组成的组中选择出来的膜构成的绝缘膜。该CVD装置包括：用于容纳被处理基板(W)的处理室(8)、在处理室内用于支撑被处理基板的支撑构件(20)、加热支撑构件支撑的被处理基板的加热器(12)、对处理室内进行真空排气的排气部(39)和向处理室内供给气体的供给部(40)。供给部包括：供给实质上由硅烷系列气体形成的第1气体的第1供给系统(42)、供给实质上由从氧化气体、氮化气体及氧氮化气体组成的组中选择出来的气体形成的第2气体的第2供给系统(44)和供给实质上由碳氢化合物气体形成的第3气体的第3供给系统(46)，可同时供给第1、第2和第3气体。

公开(公告)号：CN100373559C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN03802282.6

申请日：2003-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷武司 ,  加藤寿 ,  李镇秀 ,  真久真吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452

Abstract: CVD装置(2)形成由从氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜所组成的组中选择出来的膜构成的绝缘膜。该CVD装置包括：用于容纳被处理基板(W)的处理室(8)、在处理室内用于支撑被处理基板的支撑构件(20)、加热支撑构件支撑的被处理基板的加热器(12)、对处理室内进行真空排气的排气部(39)和向处理室内供给气体的供给部(40)。供给部包括：供给实质上由硅烷系列气体形成的第1气体的第1供给系统(42)、供给实质上由从氧化气体、氮化气体及氧氮化气体组成的组中选择出来的气体形成的第2气体的第2供给系统(44)和供给实质上由碳氢化合物气体形成的第3气体的第3供给系统(46)，可同时供给第1、第2和第3气体。