公开(公告)号：CN1551305A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410037990.2

申请日：2004-05-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  北野雅敏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H05H1/46 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其控制方法，它能够原样维持运转状态从处理室中除去附着物。在即将开始对晶片的等离子体处理之前，对下部电极施加过冲电压。通过该过冲电压，除去在下部电极的周边部附着堆积的附着物，所以可防止在等离子体刚点火后在处理室内的异常放电的发生。过冲电压是例如通过调整匹配器的电抗而被生成。

公开(公告)号：CN1306567C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410037990.2

申请日：2004-05-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  北野雅敏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H05H1/46 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其控制方法，它能够原样维持运转状态从处理室中除去附着物。在即将开始对晶片的等离子体处理之前，对下部电极施加过冲电压。通过该过冲电压，除去在下部电极的周边部附着堆积的附着物，所以可防止在等离子体刚点火后在处理室内的异常放电的发生。过冲电压是例如通过调整匹配器的电抗而被生成。