公开(公告)号：CN103402706B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280009419.2

申请日：2012-01-30

Applicant: 东丽高帝斯株式会社 ,  东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  和田雅治 ,  加藤博恭 ,  西村一 ,  柳泽智 ,  松崎行博

IPC: B24B37/24 ,  D06N3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  D06N3/0004 ,  D06N3/14 ,  D06N2205/24

Abstract: 本发明提供一种适于精加工用的研磨垫，所述研磨垫用于在硅裸晶片、玻璃、化合物半导体基板及硬盘基板等中形成良好的镜面，所述研磨垫在研磨时被镜面研磨面的划痕·颗粒等缺陷少，而且被镜面研磨面的处理片数多。本发明的研磨垫是在研磨垫用基材上形成利用湿式凝固法得到的以聚氨酯作为主要成分的多孔质聚氨酯层而得到的，所述研磨垫用基材是在由平均单纤维直径为3.0μm以上、且8.0μm以下的极细纤维束形成的无纺布中含浸聚氨酯类弹性体得到的，所述聚氨酯类弹性体相对于研磨垫用基材为20质量％以上、且50质量％以下，所述多孔质聚氨酯层为研磨表面层，具有平均开口直径为10μm以上、且90μm以下的开口，所述研磨垫的压缩弹性模量为0.17MPa以上、且0.32MPa以下。

公开(公告)号：CN103402706A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280009419.2

申请日：2012-01-30

Applicant: 东丽高帝斯株式会社 ,  东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  和田雅治 ,  加藤博恭 ,  西村一 ,  柳泽智 ,  松崎行博

IPC: B24B37/24 ,  D06N3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  D06N3/0004 ,  D06N3/14 ,  D06N2205/24

Abstract: 本发明提供一种适于精加工用的研磨垫，所述研磨垫用于在硅裸晶片、玻璃、化合物半导体基板及硬盘基板等中形成良好的镜面，所述研磨垫在研磨时被镜面研磨面的划痕·颗粒等缺陷少，而且被镜面研磨面的处理片数多。本发明的研磨垫是在研磨垫用基材上形成利用湿式凝固法得到的以聚氨酯作为主要成分的多孔质聚氨酯层而得到的，所述研磨垫用基材是在由平均单纤维直径为3.0μm以上、且8.0μm以下的极细纤维束形成的无纺布中含浸聚氨酯类弹性体得到的，所述聚氨酯类弹性体相对于研磨垫用基材为20质量％以上、且50质量％以下，所述多孔质聚氨酯层为研磨表面层，具有平均开口直径为10μm以上、且90μm以下的开口，所述研磨垫的压缩弹性模量为0.17MPa以上、且0.32MPa以下。