公开(公告)号：CN103370193B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280008943.8

申请日：2012-02-22

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 仓世古绘美 ,  高田进 ,  铃木基之

IPC: B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32

CPC classification number: B44C1/17 ,  B29C47/0004 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/065 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种转印膜，是在支承体膜上层合有厚度为0.01～10μm的转印层的转印膜，转印层含有硅氧烷低聚物，转印层的利用X射线光电子能谱测得的硅原子相对于碳、氧及硅各原子数的总计的含有率为5～33％。本发明提供一种用于通过简易的制造工序无缺陷地将转印层赋予到大面积的被转印体上的转印膜。

公开(公告)号：CN104246990A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201280072483.5

申请日：2012-08-09

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 高田进 ,  仓世古绘美 ,  铃木基之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/58 ,  B32B37/025 ,  B32B38/10 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2323/00 ,  B32B2333/00 ,  B32B2361/00 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/20 ,  C30B33/08 ,  H01L33/005 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0058

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，所述方法制造工序简单，且晶体衬底的表面的图形加工的微细化、晶体衬底的大径化优异。所述具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法包括工序(A)～(C)：(A)转印膜形成工序，在表面具有凹凸形状的支承体膜的具有凹凸形状的面上，以残膜厚度h为0.01～1μm的方式形成凹凸膜，所述凹凸形状的凹部的宽度w为0.05～100μm，凹部的深度d为0.05～10μm，上述凹部的深度d与上述凹部的宽度w之比d/w为1.5以下；(B)转印工序，将上述转印膜层合在晶体衬底上，然后将上述凹凸膜转印到晶体衬底上，制成带有凹凸膜的晶体衬底；(C)蚀刻工序，对上述带有凹凸膜的晶体衬底进行蚀刻，在晶体衬底的表面形成凹凸结构。

公开(公告)号：CN103370193A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008943.8

申请日：2012-02-22

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 仓世古绘美 ,  高田进 ,  铃木基之

IPC: B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32

CPC classification number: B44C1/17 ,  B29C47/0004 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/065 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种转印膜，是在支承体膜上层合有厚度为0.01～10μm的转印层的转印膜，转印层含有硅氧烷低聚物，转印层的利用X射线光电子能谱测得的硅原子相对于碳、氧及硅各原子数的总计的含有率为5～33％。本发明提供一种用于通过简易的制造工序无缺陷地将转印层赋予到大面积的被转印体上的转印膜。