四氧化三钴纳米线阵列的制备方法及其产品和应用

    公开(公告)号:CN109650464A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811576723.0

    申请日:2018-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种四氧化三钴纳米线阵列的制备方法及其产品和应用,在导电基底上通过原位生长制备四氧化三钴纳米线阵列,采用一步水热法和模板法进行合成,制备得到负载于导电基底钛箔上的四氧化三钴纳米线阵列。以钴盐,水为溶剂,在搅拌过程中加入尿素,氟化铵,并持续搅拌一段时间。均匀搅拌后,将溶液和导电基底钛箔转移至聚四氟乙烯反应釜,在烘箱中进行水热反应。反应完成后,超声、洗涤、真空干燥,随后在氮气气氛下高温煅烧,即得到负载于导电基底钛箔的四氧化三钴纳米线阵列。本发明采用一步水热法合成四氧化三钴纳米线,该制备方法操作简单,原料成本低廉,反应温度低,并且电化学性质优异,可广泛应用于催化、传感及能量存储等领域。

    氧化钨电子传输层的制备方法及其产品和应用

    公开(公告)号:CN107887475A

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201711168429.1

    申请日:2017-11-21

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521 H01L51/44 H01L31/18 H01L51/42

    Abstract: 本发明涉及氧化钨电子传输层的制备方法及其产品和应用,一种氧化钨电子传输层由WOx低温制备,可在导电玻璃基底上大批量合成,包括:量取5ml醇溶液,称取一定量六氯化钨溶于溶剂醇之中,搅拌至溶液完全溶解,得到黄色的溶液;继续搅拌,黄色溶液变为透明的浅蓝色溶液;在清洗后的FTO导电玻璃上旋涂30s;旋涂后的基底在烘箱中150摄氏度加热;重复2~4遍,得到性能良好的氧化钨电子传输层材料。在150°C制得的电子传输层获得了8.3%的效率。该方法制备的电子传输层不用经过高温烧结等复杂过程,制备方法工艺和流程简便,参数可调范围宽,可重复性强,消耗能量低,有效地降低了电池的制作成本,有利于技术的大规模推广。

    一种镍掺杂四氧化三钴纳米花复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107162066B

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201710384042.3

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂四氧化三钴纳米花复合材料及其制备方法和应用,将镍盐溶于乙醇中,将钴盐溶于乙醇和水的混合溶液中,进行超声处理一段时间;其次,将两份溶液混合,搅拌,同时在搅拌过程中加入尿素,并持续搅拌一段时间;以摩尔分数计,镍的掺杂量为0.9%~2.3%。均匀搅拌后,转移至聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应。反应完成后进行洗涤、干燥,即得到一种镍掺杂四氧化三钴纳米花状形貌的复合材料。本发明产物稳定性高,性质稳定,不仅具备四氧化三钴纳米氧化物的优异性能,更在此基础上提高了导电性。该制备方法操作简单,原料成本低廉,反应温度低,并且电化学性质优异,可广泛应用于催化、传感及能量存储等领域。

Patent Agency Ranking