公开(公告)号：CN103367354A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210097858.5

申请日：2012-04-05

Applicant: 上海硅知识产权交易中心有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 邵博闻 ,  易伟 ,  林霞 ,  刘芸 ,  俞慧月 ,  徐步陆 ,  王晓东 ,  赵建龙

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明涉及一种用于改善高速模数转换器总谐波误差的静电释放保护电路结构，包括信号输入端、电源端和地端，其中信号输入端和电源端之间正向接入有第一二极管，地端和信号输入端之间也正向接入有第二二极管，第二二极管为P+到N阱的二极管。采用该种结构的用于改善高速模数转换器总谐波误差的静电释放保护电路结构，由于其中信号线和电源线之间接有P+到N阱的二极管，同时地线到信号线之间也接有P+到N阱的二极管，从而使用本ESD结构后电容变化率比较小，在高频模拟信号输入时不会产生轨迹模式畸变，因此有效改善了输入信号经过静电释放保护电路后的总谐波误差，电路结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。