一种平面八电极介电电泳旋转芯片及制作方法

    公开(公告)号:CN108106920A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711348537.7

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种平面八电极介电电泳旋转芯片,包括芯片,所述芯片的平面内封装八个电极,且八个电极分布在间隔相同的八个方位角,构成一个正八边形结构,中间围成一个电极腔;所述每个电极自下而上包括基层、过渡层以及电极层。所述每个电极由凹四边形和长方形构成轴对称图形,所述电极的基底材料为非金属硅;电极的过渡层材料为金属铬,厚度为50纳米;电极的电极层材料为导电金属金,厚度为150纳米。本发明对微粒的旋转和检测更加准确,精度更高,可操作性更强。通过对照平面四电极与八电极电旋转芯片场强分布图,实现了电场的旋转,产生的场强更大。

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