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公开(公告)号：CN118374869A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310152585.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 上海电机学院
Abstract: 本发明提供一种制备Ag9GaSe6热电半导体晶体的方法及装置，所述方法包括：将Ag9GaSe6籽晶装入石英坩埚的籽晶槽中；在石英坩埚内填入Ag9GaSe6多晶料，抽真空后进行密封；将石英坩埚用碳化硅套管进行封装，并用碳化硅粉进行包裹固定；将碳化硅套管随同石英坩埚一起移入区熔炉中，并置于下降机构之上，所述下降机构带动碳化硅套管向下移动从而实现晶体生长。本发明可有效制备Ag9GaSe6晶体以满足实际应用需求。
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