-
公开(公告)号：CN104330847A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410663285.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 上海电力学院
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B27/286
Abstract: 本发明涉及一种宽带反射式1/4波片，包括基底(5)，在基底(5)上依次镀设氧化铝膜(4)、银膜(3)、氧化铝膜(2)和氧化硅膜(1)，氧化硅层(1)内刻蚀形成矩形槽光栅，该光栅的周期为1178～1188纳米，刻蚀深度为2517～2527纳米，占空比为0.255。与现有技术相比，本发明可以由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺以及镀膜技术加工而成，取材方便，造价小，具有重要的实用前景。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
