一种超疏水高透射SiO2减反射薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105399340A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510934882.3

    申请日:2015-12-14

    IPC分类号: C03C17/25

    摘要: 本发明涉及一种超疏水高透射SiO2减反射薄膜及其制备方法,采用溶胶-凝胶法制备掺有三甲基氯硅烷的杂化溶胶;对载玻片表面进行清洗;采用浸渍提拉方法,在载玻片的表面形成镀膜,干燥后即获得超疏水高透射SiO2减反射薄膜。与现有技术相比,本发明制作过程简单,成本低,得到的溶胶均匀性好,可用于大面积成膜。由于较高的透射性,用在光伏玻璃盖板上可提高入射光透射,提高太阳电池效率。并且由于薄膜疏水性好,具备很好的自清洁能力,薄膜适用于户外潮湿环境。

    一种室温磁制冷合金材料及制备方法

    公开(公告)号:CN105390223B

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201510713559.3

    申请日:2015-10-28

    摘要: 本发明一种室温磁制冷合金材料,其分子式为Mn1‑XAlXCoGe,在合金材料中,锰元素的质量百分比为33.3~34.4%,铝元素的质量百分比为0.6~2.7%,钴元素的质量百分比为32.8~33.3%,锗元素的质量百分比为30.2~32.7%。本发明还提供了上述合金材料的制备方法,将反应物质加入到真空电弧炉中,抽真空低于10‑4Pa,通入氩气;将样品反复熔炼;取出样品冷却,将样品放入耐高温石英玻璃试管中,抽真空,充入高纯度氩气进行洗气,放入炉式箱中,取出样品退火,获得室温磁制冷合金材料。本发明显著地使合金的居里温度降至室温附近,有效地避免了相变附近的热滞现象,且在室温附近具有较大的可调温宽。

    一种锰钴锗基合金磁制冷材料及其制备

    公开(公告)号:CN105714173B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201610268488.5

    申请日:2016-04-27

    摘要: 本发明涉及一种锰钴锗基合金磁制冷材料及其制备,所述的磁制冷材料的分子通式为MnCoGe1‑xCux,其中,x的取值范围为0.005~0.05;通过以下步骤制备而成:(1)按照摩尔比1:1:(1‑x):x称取锰、钴、锗和铜材料,惰性气体保护下加热熔融并混合均匀,得到混合样品;(2)取出混合样品,退火处理,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明具有磁制冷材料的居里温度和磁热效应良好,磁制冷材料为二级相变材料,有效的避免来一级相变材料带来的热滞问题,制备简单易行等优点。