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公开(公告)号:CN105399340A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510934882.3
申请日:2015-12-14
申请人: 上海电力学院
IPC分类号: C03C17/25
摘要: 本发明涉及一种超疏水高透射SiO2减反射薄膜及其制备方法,采用溶胶-凝胶法制备掺有三甲基氯硅烷的杂化溶胶;对载玻片表面进行清洗;采用浸渍提拉方法,在载玻片的表面形成镀膜,干燥后即获得超疏水高透射SiO2减反射薄膜。与现有技术相比,本发明制作过程简单,成本低,得到的溶胶均匀性好,可用于大面积成膜。由于较高的透射性,用在光伏玻璃盖板上可提高入射光透射,提高太阳电池效率。并且由于薄膜疏水性好,具备很好的自清洁能力,薄膜适用于户外潮湿环境。
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公开(公告)号:CN105390223B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201510713559.3
申请日:2015-10-28
申请人: 上海电力学院
摘要: 本发明一种室温磁制冷合金材料,其分子式为Mn1‑XAlXCoGe,在合金材料中,锰元素的质量百分比为33.3~34.4%,铝元素的质量百分比为0.6~2.7%,钴元素的质量百分比为32.8~33.3%,锗元素的质量百分比为30.2~32.7%。本发明还提供了上述合金材料的制备方法,将反应物质加入到真空电弧炉中,抽真空低于10‑4Pa,通入氩气;将样品反复熔炼;取出样品冷却,将样品放入耐高温石英玻璃试管中,抽真空,充入高纯度氩气进行洗气,放入炉式箱中,取出样品退火,获得室温磁制冷合金材料。本发明显著地使合金的居里温度降至室温附近,有效地避免了相变附近的热滞现象,且在室温附近具有较大的可调温宽。
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公开(公告)号:CN105714173A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201610268488.5
申请日:2016-04-27
申请人: 上海电力学院
摘要: 本发明涉及一种锰钴锗基合金磁制冷材料及其制备,所述的磁制冷材料的分子通式为MnCoGe1?xCux,其中,x的取值范围为0.005~0.05;通过以下步骤制备而成:(1)按照摩尔比1:1:(1?x):x称取锰、钴、锗和铜材料,惰性气体保护下加热熔融并混合均匀,得到混合样品;(2)取出混合样品,退火处理,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明具有磁制冷材料的居里温度和磁热效应良好,磁制冷材料为二级相变材料,有效的避免来一级相变材料带来的热滞问题,制备简单易行等优点。
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公开(公告)号:CN105714173B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201610268488.5
申请日:2016-04-27
申请人: 上海电力学院
摘要: 本发明涉及一种锰钴锗基合金磁制冷材料及其制备,所述的磁制冷材料的分子通式为MnCoGe1‑xCux,其中,x的取值范围为0.005~0.05;通过以下步骤制备而成:(1)按照摩尔比1:1:(1‑x):x称取锰、钴、锗和铜材料,惰性气体保护下加热熔融并混合均匀,得到混合样品;(2)取出混合样品,退火处理,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明具有磁制冷材料的居里温度和磁热效应良好,磁制冷材料为二级相变材料,有效的避免来一级相变材料带来的热滞问题,制备简单易行等优点。
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公开(公告)号:CN105390223A
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201510713559.3
申请日:2015-10-28
申请人: 上海电力学院
摘要: 本发明一种室温磁制冷合金材料,其分子式为Mn1-XAlXCoGe,在合金材料中,锰元素的质量百分比为33.3~34.4%,铝元素的质量百分比为0.6~2.7%,钴元素的质量百分比为32.8~33.3%,锗元素的质量百分比为30.2~32.7%。本发明还提供了上述合金材料的制备方法,将反应物质加入到真空电弧炉中,抽真空低于10-4Pa,通入氩气;将样品反复熔炼;取出样品冷却,将样品放入耐高温石英玻璃试管中,抽真空,充入高纯度氩气进行洗气,放入炉式箱中,取出样品退火,获得室温磁制冷合金材料。本发明显著地使合金的居里温度降至室温附近,有效地避免了相变附近的热滞现象,且在室温附近具有较大的可调温宽。
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公开(公告)号:CN205122595U
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201520802342.5
申请日:2015-10-13
申请人: 上海电力学院
IPC分类号: H01L31/0216 , B82B1/00
摘要: 本实用新型涉及一种空间硅太阳电池的减反射膜,至少由两层减反射膜组成,其中至少有一层采用折射率低于1.4的纳米材料。减少了光的反射损失,获得空间高效的硅太阳电池,提高了太阳能电池的光电转换效率;低折射率纳米材料减反射膜的设计具有工艺方便实现、应用前景广泛等优点,为空间硅太阳能电池减反射膜的制备提供了有效的制备参数和理论上的依据。
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