公开(公告)号：CN101334415A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810040823.1

申请日：2008-07-22

Applicant: 上海电力学院

Inventor： 李丽伟 ,  朱荣 ,  周兆英 ,  任建兴

IPC: G01N35/00 ,  G01M19/00

Abstract: 本发明公开了一种控制MEMS微腔体内电－固－微气流的耦合作用的方法，通过对比有气流影响的位移振形待定系数λ′与无气流影响的位移振形待定系数λ，从而找出对振动位移产生影响的微气流挤压膜阻尼的阻尼项。本发明针对MEMS密闭腔体内静电－硅膜－微气流的耦合作用进行建模分析，为微气流的驱动及协调控制提供相关理论基础及控制策略。

公开(公告)号：CN101329190B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810040822.7

申请日：2008-07-22

Applicant: 上海电力学院

Inventor： 李丽伟 ,  朱荣 ,  周兆英 ,  任建兴

IPC: G01F1/56

Abstract: 本发明公开了一种针对MEMS器件微流量流速检测中寄生电容干扰信号的抑制方法是将压电上电极与驱动电源正极相连，压电下电极与驱动电源接地负极相连，可基本避免Si-Pt寄生电容的形成。在实施例中采用本发明所述寄生电容抑制方法连接屏蔽寄生电容后检测到的方波驱动输出响应信号正负尖脉冲输出响应的峰值从3.92V降为0.96V，寄生电容得到了有效抑制。

公开(公告)号：CN101329190A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810040822.7

申请日：2008-07-22

Applicant: 上海电力学院

Inventor： 李丽伟 ,  朱荣 ,  周兆英 ,  任建兴

IPC: G01F1/56

Abstract: 本发明公开了一种针对MEMS器件微流量流速检测中寄生电容干扰信号的抑制方法是将压电上电极与驱动电源正极相连，压电下电极与驱动电源接地负极相连，可基本避免Si－Pt寄生电容的形成。在实施例中采用本发明所述寄生电容抑制方法连接屏蔽寄生电容后检测到的方波驱动输出响应信号正负尖脉冲输出响应的峰值从3.92V降为0.96V，寄生电容得到了有效抑制。