利用硫掺杂硒化镓晶体产生高功率宽带太赫兹辐射的装置与方法

    公开(公告)号:CN116088203A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202310181834.6

    申请日:2023-02-28

    IPC分类号: G02F1/03

    摘要: 本发明涉及一种利用硫掺杂硒化镓晶体产生高功率宽带太赫兹辐射的装置与方法,该装置包括飞秒激光器、分束片、第一反射镜、第二反射镜、光学延迟线、机械斩波器、BBO倍频晶体、硫掺杂硒化镓晶体、太赫兹水平偏振片、碲化锌晶体、1/4波片、渥拉斯顿棱镜、平衡探测器与锁相放大器,所述第一反射镜与第二反射镜分别位于所述分束片所分出的两束光路上,所述机械斩波器、BBO倍频晶体、硫掺杂硒化镓晶体、太赫兹水平偏振片、碲化锌晶体、1/4波片、渥拉斯顿棱镜、平衡探测器与锁相放大器沿光路依次设置,在第一反射镜与碲化锌晶体之间还设有光学延迟线。与现有技术相比,本发明具有装置简单易操控、可在室温下操作、太赫兹辐射功率高且频带宽的特点。

    一种基于超材料的太赫兹超宽带带通滤波器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117832857A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410003472.6

    申请日:2024-01-02

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本发明涉及一种基于超材料的太赫兹超宽带带通滤波器及其制备方法,基于超材料的太赫兹超宽带带通滤波器包括聚合材料介质基板和金属层,金属层设于聚合材料介质基板上,其特征在于,金属层包括多个阵列排布的金属单元,金属单元包括一个金属边框、四个条状金属结构、四个L型金属结构,四个条状金属结构、四个L型金属结构均设于金属边框内,四个条状金属结构分别设于金属边框的四边,四个L型金属结构分别设于金属边框的四角;金属层包括两个谐振结构,实现超宽带带通滤波,改善高通带平坦度。与现有技术相比,本发明结构简单,尺寸较小,通带平坦,可以在0.78~1.78THz频段内实现超宽带带通滤波,同时具有极化不敏感特性。