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公开(公告)号:CN117833626A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202311830254.1
申请日:2023-12-27
Applicant: 上海电力大学
IPC: H02M1/12 , H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02M3/335 , H02J3/38
Abstract: 本发明涉及一种两级逆变器中多移相调制DAB的二次谐波电流抑制方法,主要包括:计算DAB最小电感电流应力条件下的最优移相控制参数;采用小带宽PI控制器增大前端DAB变换器的闭环输出阻抗,达到抑制前端DAB变换器中二次谐波电流的效果;设计小带宽PI控制器下带二倍频陷波器的负载电流前馈控制策略;将带二倍频陷波器的负载电流前馈引入低穿越频率电压闭环控制,以提高前端DAB变换器的动态性能,同时滤除因负载电流前馈重新引入的二次谐波分量。与现有技术相比,本发明适用于各类多重移相调制策略,同时大大减弱计算复杂度,本发明不需要考虑中间母线电容值的准确性,能够很好地适用于两级单相逆变器前端采用各类多重移相调制DAB变换器的二次谐波电流抑制。
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公开(公告)号:CN117811376A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202311830247.1
申请日:2023-12-27
Applicant: 上海电力大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种基于多重移相调制的DAB变换器模型预测控制装置及方法,该装置包括依次连接的模型预测控制模块和多重移相载波调制模块,模型预测控制模块的输入端与DAB变换器的输出端相连接,多重移相载波调制模块与DAB变换器内各开关相连接;该方法包括:获取DAB变换器的实际输出数据以及输出电压参考值,结合设定的控制目标,计算得到模型预测最优控制变量;基于模型预测最优控制变量,计算得到最小回流功率下的移相控制自由度,以相应控制DAB变换器内各开关的工作状态。与现有技术相比,本发明具有预测控制强暂态性能及多重移相低回流功率的特点,能够适用于各种多重移相下DAB变换器预测控制,同时大大减弱计算复杂度。
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公开(公告)号:CN117977971A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410136592.3
申请日:2024-01-31
Applicant: 上海电力大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种共电感自均流多相并联CLLC谐振变换器,包括多个并联连接的相同谐振参数规格且相同开关频率工作的CLLC谐振变换器模块,其中,多个CLLC谐振变换器模块的输入端均连接至输入侧电压源,多个CLLC谐振变换器模块的输出端均连接至输出侧单元。与现有技术相比,本发明将多相并联CLLC谐振变换器中各相CLLC谐振变换器内变压器原边同名端依次互联、副边同名端依次互联,利用模块之间励磁电感和谐振电感的互联来解决由于谐振元器件参数不一致所带来的多模块间电流不均衡问题,实现多相并联CLLC谐振变换器内各支路电流的自动均衡,该变换器具有双向运行、易于模块化、损耗低、效率高、避免开关管或整流二极管局部过热或器件电压、电流应力过高等优点。
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公开(公告)号:CN117748958A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311479756.4
申请日:2023-11-08
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明涉及器件混合型五电平ANPC‑DAB变换器及其控制方法,变换器包括高频变压器、变压器一次侧的三电平ANPC支路和两电平半桥支路,以及变压器二次侧的单相全桥支路;三电平ANPC输出端连接高频电感,高频电感连接高频隔离变压器的一次侧正极,两电平半桥支路的输出端连接高频隔离变压器的一次侧负极,高频隔离变压器的二次侧连接单相全桥支路的输入端;单相全桥支路的输出端连接输出滤波电容Co,输出滤波电容Co连接电压输出端;两电平半桥支路的开关管和单相全桥支路的开关管为硅器件,变换器的器件存在多种冗余状态。与现有技术相比,本发明具有降低开关器件的开关损耗等优点。
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公开(公告)号:CN117526723A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311435789.9
申请日:2023-10-31
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明公开了器件混合型全桥ANPC‑DAB变换器的电路拓扑结构及其软开关控制方法,所述三电平DAB变换器原边由两个三电平ANPC桥臂构成,副边为两电平H桥结构,利用三电平DAB变换器原边ANPC桥臂冗余的零电平状态组合,使原边中点交流电压的±1/2电平均存在三种不同的模态,通过这三种不同模态在±1电平、0电平之间进行切换,将开关动作集中在指定的开关器件上。所述调制方法可以实现原边部分开关器件的软开关,使得开关损耗集中在碳化硅或氮化镓等宽禁带器件上,利用碳化硅或氮化镓等宽禁带器件低导通损耗和低开关损耗的特点,从而减少开关器件的损耗,提高DAB变换器的效率。
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