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公开(公告)号：CN117535795A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311591855.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可控生长铋基全卤族无机钙钛矿Cs3Bi2X9(X＝I,Br,Cl)单晶的合成方法，属于非铅基钙钛矿单晶的生长技术领域，其只通过一种体系下的工艺流程，即改良的反溶剂蒸汽辅助生长法就能够制备出多种大尺寸全卤化物的铋基钙钛矿单晶。本发明的制备工艺能够在仅仅几天内得到形貌良好、结构完整以及尺寸优异的铋基钙钛矿单晶，本发明采用的原材料价格低廉、设备简易、工艺流程清晰明了，并且反应过程重复性高、完全可控，这使其能够达到工业化量产的前提要求，该方法对于溶液法制备全卤族系列的无机铋基钙钛矿单晶提供了一种全新的策略。
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