公开(公告)号：CN114002295A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111451059.9

申请日：2021-12-01

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 李慧珺 ,  何斌 ,  直士博 ,  黄粤夷 ,  郭小瑜 ,  王现英 ,  王丁

IPC: G01N27/327 ,  G01N27/26 ,  G01N33/543 ,  G01N33/68 ,  C08G73/06

Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米线阵列@聚多巴胺复合结构的光电免疫传感器及制备方法，包括：该复合结构为聚多巴胺包覆在硅纳米线阵列表面。本发明还公开了上述传感器在光电免疫检测心肌梗死生物标记物‑肌钙蛋白中的应用。硅纳米线阵列具有优异的光电转换性能；聚多巴胺生物相容性好，且表面具有丰富胺基官能团，易修饰。将两种材料结合获得的复合结构。根据本发明，有效降低光电免疫传感器结构复杂程度的同时，提高免疫传感的稳定性和灵敏度，用于检测心肌肌钙蛋白I，灵敏度高，特异性好。