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公开(公告)号：CN104931137A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510270265.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹谐振腔型等离子芯片的制备方法，包括清洗硅基片、镀SiO2层、涂底、前烘、对准曝光和显影、后烘、腐蚀、去除光刻胶涂层、镀金属膜九个步骤，既简化了在硅材料中加工周期结构的加工工艺，更有利于实现批量生产，又解决了传统的交替往复式硅刻蚀工艺，大大提高了结构的光滑平整性。依据此方法制备的太赫兹谐振腔型等离子芯片创造性的在做好结构的硅材料上镀上了一层金属膜，使得整个结构可等效为金属等离子微结构太赫兹芯片，解决了硅材料不能激发太赫兹表面波的难题。
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公开(公告)号：CN104865221B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510292670.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹等离子波有机物检测装置包括信号源、光纤、太赫兹波发射部、耦合部、传导部、样品容纳部、太赫兹波接收部。信号源用于发射光信号，并通过光纤将光信号传输给太赫兹波发射部；太赫兹发射部对光信号进行过滤，产生太赫兹波；耦合部用于将太赫兹波耦合入或耦合出传导部；传导部用于产生太赫兹等离子波并传导太赫兹等离子波，使其穿过样品容纳部；太赫兹接收部用于接收太赫兹等离子波，并通过光纤将其传输给下位设备进行数据分析。
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公开(公告)号：CN104931137B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510270265.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹谐振腔型等离子芯片的制备方法，包括清洗硅基片、镀SiO2层、涂底、前烘、对准曝光和显影、后烘、腐蚀、去除光刻胶涂层、镀金属膜九个步骤，既简化了在硅材料中加工周期结构的加工工艺，更有利于实现批量生产，又解决了传统的交替往复式硅刻蚀工艺，大大提高了结构的光滑平整性。依据此方法制备的太赫兹谐振腔型等离子芯片创造性的在做好结构的硅材料上镀上了一层金属膜，使得整个结构可等效为金属等离子微结构太赫兹芯片，解决了硅材料不能激发太赫兹表面波的难题。
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公开(公告)号：CN104865221A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510292670.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹等离子波有机物检测装置包括信号源、光纤、太赫兹波发射部、耦合部、传导部、样品容纳部、太赫兹波接收部。信号源用于发射光信号，并通过光纤将光信号传输给太赫兹波发射部；太赫兹发射部对光信号进行过滤，产生太赫兹波；耦合部用于将太赫兹波耦合入或耦合出传导部；传导部用于产生太赫兹等离子波并传导太赫兹等离子波，使其穿过样品容纳部；太赫兹接收部用于接收太赫兹等离子波，并通过光纤将其传输给下位设备进行数据分析。
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