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公开(公告)号：CN114935406A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210206484.X
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明涉及一种基于硅雪崩光电二极管的光子数可分辨探测方法，重复频率大于等于1GHz的门控信号与直流偏置电压一起作用于硅雪崩光电二极管的阴极，控制硅雪崩光电二极管两端的偏置电压高于雪崩电压，硅雪崩光电二极管对被测光信号进行探测，探测到的光生雪崩电信号，通过差分以及与频谱滤波级联，对硅雪崩光电二极管探测信号进行高保真提取，实现光子数可分辨的量子探测。Si APD工作在高速门控盖革模式下，可在ns级别淬灭雪崩并为下一个光信号的检测做好准备。采用平衡与频谱滤波级联的容性噪声抑制方案，可实现微弱雪崩信号的高保真提取，在降低雪崩增益的同时保障APD的探测性能，使其工作在“亚饱和”模式，实现光子数可分辨的量子探测。
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