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公开(公告)号：CN119395326A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510005267.8
申请日：2025-01-03
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
IPC: G01P15/03 , G01B11/02 , G01B9/02015 , G01D5/353
Abstract: 一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法，包括第一基底、第二基底和第三基底，在所述第一基底上加工形成光纤安装座和通光孔，在所述第二基底上加工有梁结构和惯性质量块，所述第一基底、第二基底和第三基底均采用双抛超平硅片，在所述光纤安装座上固定有单模光纤组件，所述单模光纤组件的端面采用精密研磨并与光纤纤芯的轴向垂直，利用所述惯性质量块朝向通光孔的一侧端面形成第一腔镜，所述单模光纤组件的端面形成第二腔镜，第一腔镜和所述第二腔镜构成F‑P干涉腔，第一基底、第二基底和第三基底采用硅‑硅键合工艺实现连接。
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公开(公告)号：CN118565690B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411027627.6
申请日：2024-07-30
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本公开涉及一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片及其制造方法。该差分式MEMS光纤差压传感器芯片包括：第一压力敏感结构，第二压力敏感结构，中间敏感层结构，第一光纤准直器对，第二光纤准直器对；中间敏感层结构被设置在第一压力敏感结构的底表面与第二压力敏感结构的底表面之间；中间敏感层结构被设置成分隔第一光纤准直器对与第二光纤准直器对，并且被构造成支撑第一压力敏感结构与第二压力敏感结构并且减小中间敏感层结构的刚度。此外，本公开还提供了一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片的制造方法。本公开所提供的差分式MEMS光纤差压传感器芯片其结构巧妙、可批量化生产，具有探头无源、抗电磁干扰、可远距离传输以及可在恶劣环境下工作等优点。
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公开(公告)号：CN119461234B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510045540.X
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器,在第一基底的上表面形成有膜岛结构，所述膜岛结构包括凸出部和环绕所述凸出部的压力敏感薄膜，所述第一基底的下表面沿径向方向依次设置有第一侧壁部、吸气剂腔、第二侧壁部和位于中心的F‑P干涉腔，所述F‑P干涉腔中第一基底的下表面沉积有第一反射面，所述F‑P干涉腔中第二基底的上表面沉积有第二反射面，所述凸出部的表面沉积有第一光学增透膜，所述第一光学增透膜、凸出部、压力敏感薄膜、第一反射面和第二反射面具有相同的中心；还包括通气孔，所述通气孔设置在所述第二侧壁部用于连通所述吸气剂腔和所述F‑P干涉腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118565690A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411027627.6
申请日：2024-07-30
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本公开涉及一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片及其制造方法。该差分式MEMS光纤差压传感器芯片包括：第一压力敏感结构，第二压力敏感结构，中间敏感层结构，第一光纤准直器对，第二光纤准直器对；中间敏感层结构被设置在第一压力敏感结构的底表面与第二压力敏感结构的底表面之间；中间敏感层结构被设置成分隔第一光纤准直器对与第二光纤准直器对，并且被构造成支撑第一压力敏感结构与第二压力敏感结构并且减小中间敏感层结构的刚度。此外，本公开还提供了一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片的制造方法。本公开所提供的差分式MEMS光纤差压传感器芯片其结构巧妙、可批量化生产，具有探头无源、抗电磁干扰、可远距离传输以及可在恶劣环境下工作等优点。
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公开(公告)号：CN119395326B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510005267.8
申请日：2025-01-03
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
IPC: G01P15/03 , G01B11/02 , G01B9/02015 , G01D5/353
Abstract: 一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法，包括第一基底、第二基底和第三基底，在所述第一基底上加工形成光纤安装座和通光孔，在所述第二基底上加工有梁结构和惯性质量块，所述第一基底、第二基底和第三基底均采用双抛超平硅片，在所述光纤安装座上固定有单模光纤组件，所述单模光纤组件的端面采用精密研磨并与光纤纤芯的轴向垂直，利用所述惯性质量块朝向通光孔的一侧端面形成第一腔镜，所述单模光纤组件的端面形成第二腔镜，第一腔镜和所述第二腔镜构成F‑P干涉腔，第一基底、第二基底和第三基底采用硅‑硅键合工艺实现连接。
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公开(公告)号：CN119461233B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510045493.9
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器。包括第一基底和第二基底，第二基底与第一基底键合成一体，第一基底上制作有压力敏感薄膜，压力敏感薄膜上沉积有第一反射面，第二基底上沉积有与第一反射面对应设置的第二反射面，当两个基底键合后第一反射面和第二反射面形成F‑P光学干涉腔，至少一个吸气剂腔设置在第一基底和/或第二基底上，在吸气剂腔的表面设置有吸气剂薄膜，吸气剂腔与F‑P光学干涉腔分开，通过气道连接，可以将气道的尺寸做得很小，避免吸气剂激活后产生的少量颗粒污染光学膜导致器件失效；传感器整体是密封结构，没有与芯片外连接的结构，保证了芯片整体的气密性，降低了后续壳体封装的真空度要求。
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公开(公告)号：CN119461234A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510045540.X
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器,在第一基底的上表面形成有膜岛结构，所述膜岛结构包括凸出部和环绕所述凸出部的压力敏感薄膜，所述第一基底的下表面沿径向方向依次设置有第一侧壁部、吸气剂腔、第二侧壁部和位于中心的F‑P干涉腔，所述F‑P干涉腔中第一基底的下表面沉积有第一反射面，所述F‑P干涉腔中第二基底的上表面沉积有第二反射面，所述凸出部的表面沉积有第一光学增透膜，所述第一光学增透膜、凸出部、压力敏感薄膜、第一反射面和第二反射面具有相同的中心；还包括通气孔，所述通气孔设置在所述第二侧壁部用于连通所述吸气剂腔和所述F‑P干涉腔。
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公开(公告)号：CN119461233A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510045493.9
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器。包括第一基底和第二基底，第二基底与第一基底键合成一体，第一基底上制作有压力敏感薄膜，压力敏感薄膜上沉积有第一反射面，第二基底上沉积有与第一反射面对应设置的第二反射面，当两个基底键合后第一反射面和第二反射面形成F‑P光学干涉腔，至少一个吸气剂腔设置在第一基底和/或第二基底上，在吸气剂腔的表面设置有吸气剂薄膜，吸气剂腔与F‑P光学干涉腔分开，通过气道连接，可以将气道的尺寸做得很小，避免吸气剂激活后产生的少量颗粒污染光学膜导致器件失效；传感器整体是密封结构，没有与芯片外连接的结构，保证了芯片整体的气密性，降低了后续壳体封装的真空度要求。
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