公开(公告)号：CN119842399A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510047929.8

申请日：2025-01-13

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 李霄 ,  芮科忠 ,  胡长河 ,  熊起 ,  方鹤 ,  刘敏

IPC: C09K11/67 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种准同型相界氟化锆铯基上转换基质材料的制备方法。使用高温共沉淀的方法制备所述纳米材料，所制备出的纳米材料具有良好的分散性、均一性和可重复性；镱、铒离子共掺实现了在近红外光激发下的单波段的红色上转换发光。准同型相界氟化锆铯基质材料提供了独特的上转换增强。所述的纳米材料展现了良好的晶粒形态和上转换性能。因此，所述的纳米材料可以用作生物体内的上转换荧光标记材料，在生物成像和荧光标记等领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN113481005A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110824291.6

申请日：2021-07-21

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 刘敏 ,  付虎辉 ,  胡长河 ,  张焱森

IPC: C09K11/67

Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂氟化锆铯基上转换发光纳米材料及其制备方法。本发明的稀土掺杂氟化锆铯基上转换发光纳米材料为六方相的Cs2ZrF6纳米材料，其粒径为5～10nm；本发明采用乙酰丙酮锆作为Zr的金属盐，利用高温共沉淀法合成出了稀土掺杂氟化锆铯基上转换发光纳米材料，合成条件容易控制，重复性好，制备出的发光纳米材料具有良好的分散性、均一性和发光性能，是可以用作上转换发光理想的基质材料，在发光成像和生物应用等领域有着广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN113403072A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110684145.8

申请日：2021-06-21

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 刘敏 ,  付虎辉 ,  胡长河 ,  张焱森

IPC: C09K11/67 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种孔洞结构的稀土掺杂氟化铪锂上转换发光纳米材料及其制备方法。本发明的稀土掺杂氟化铪锂上转换发光纳米材料为四方相的Li4HfF8纳米材料且具有孔洞结构，其粒径为100～150nm，比表面积为100～200m2/g，孔径为5～20nm；本发明采用乙酰丙酮铪作为Hf的金属盐，利用高温共沉淀法合成出了稀土掺杂氟化铪锂上转换发光纳米材料，合成条件容易控制，重复性好，制备出的发光纳米材料具有良好的分散性、均一性和发光性能，是可以用作上转换发光理想的基质材料，而且孔洞结构可以作为优良的载体，在发光成像、药物运输和生物应用等领域有着巨大的发展潜力。