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公开(公告)号：CN114293224A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111520228.X
申请日：2021-12-13
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明涉及一种银铜磷基低析氢过电位电极及其制备方法，制备方法包括：将银铜磷合金材料浸渍于酸性氯化亚锡溶液中，即得到Cu3P‑Cu2O‑CuCl‑CuAg低析氢过电位电极。与现有技术相比，本发明以银铜磷合金材料为基底，制备得到析氢性能优异的低析氢过电位电极，具有原材料含量丰富、来源广泛、成本较低、方便易得、制备工艺简单、过程安全、生产成本较为低廉等优点，并以简单直接的方法充分发掘了材料的特性和优势，提升了材料的实用价值。
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