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公开(公告)号：CN117125716A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311186373.8
申请日：2023-09-14
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种改性二硅化钼红外辐射粉体的制备方法：将二硅化钼粉体放入管式炉在真空下进行高温氧化，通过控制通入管式炉空气的流量，实现均匀氧化；将氧化的二硅化钼粉在氩气气氛下高温处理，去除挥发性的氧化物MoO3；将在氩气中处理过的粉末进行二氧化硅湿化学包覆形成致密玻璃态氧气扩散抑制层。通过本发明方法，二硅化钼粉体经真空预氧化前处理和高温惰性气氛挥发性氧化物MoO3的脱除，在二硅化钼颗粒表面形成均匀的氧化层，有利于二氧化硅的均匀包覆，显著提高二硅化钼的抗氧化性能，同时具有较高的发射率。
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