-
公开(公告)号：CN117517406A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311484315.3
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于气体传感器领域，具体涉及一种基于半导体型BiVO4材料的三乙胺传感器及其制备方法。本发明提供了一种传感器，由具有两个环形金电极的Al2O3陶瓷管、涂敷在环形金电极和Al2O3陶瓷管上的敏感材料以及贯穿于Al2O3陶瓷管内的镍铬合金丝加热线圈构成。本发明采用煅烧和水浴两步反应相结合的共沉淀法，使用Na2CO3、V2O5和Bi(NO3)3·5H2O作为原材料，合成了BiVO4半导体敏感材料。该传感器对100ppm三乙胺表现出高灵敏度(43.4)、快速响应速度(4.9s)和良好选择性，可用于三乙胺气体的实时监测。此外，本申请提供的制备方法相对简单且成本较低，可批量生产。本申请提供的传感器在三乙胺气体检测及其相关领域具有广阔的应用前景。
Search Results
1
records
(took 0.031 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
